Boost电路参数的一些问题

Joen0_0 · 发表于 2019-6-8 20:39

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最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？

但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%

所以想问一下
1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？

wu6886 · 发表于 2019-6-10 02:17

看看

hyz12888 · 发表于 2019-6-10 08:24

学习

curry_wang · 发表于 2019-6-10 10:17

本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑

感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通开关损耗。
3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。

上山砍柴 · 发表于 2019-6-10 15:48

学习学习

Joen0_0 · 发表于 2019-6-10 21:59

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:173 h$ L8 r" R3 `4 D: d K& L
感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
6 ~, x, r' V' `6 _3 X0 b ...

哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
多谢

Joen0_0 · 发表于 2019-6-10 22:09

看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看

jacky401 · 发表于 2019-6-10 22:16

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

sunny哥 · 发表于 2019-6-11 10:30

学习

Joen0_0 · 发表于 2019-6-11 12:13

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39' R+ {& Q5 h+ [+ P1 V, p! E
请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

多谢????

付显品 · 发表于 2019-6-13 00:18

感谢分析

付显品 · 发表于 2019-6-13 00:19

学习

mgcz5566 · 发表于 2019-6-14 10:42

感谢分享

anguchou · 发表于 2019-9-16 09:23

:):)

yff014250 · 发表于 2019-9-16 10:14

看一下电路分析

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