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请教一个NMOS管供电的电路

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-6-11 15:23
  • 签到天数: 5 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    1#
    发表于 2019-12-25 13:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    4 h" T8 ^$ h3 }. E9 M& O$ ~" |; }如图,NMOS管正常不应该是由D到S导通,但在这个电路图中电源接的S,D端为输出,包括G端的连接方式也不太明白,请问该电路图是什么原理?跟上面连接的二极管有关系吗?+ T- w$ ]1 y1 y. `4 K4 _

    该用户从未签到

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    发表于 2019-12-26 23:39 | 只看该作者
    防反电路,PMOS是对的。压降低
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2019-12-26 11:08 | 只看该作者
    YOTC 发表于 2019-12-26 09:35
    . B; j6 r5 K; Z; \- _0 Q请问体二极管导通时,S端电压值VBAT-0.6V吗?

    8 B( E" a$ T2 @2 E" U7 u是不是-0.6V要看MOS管规格书中关于体二极管Vf(也有会标注为Vsd、Vds)的参数。% a9 n0 o6 L) u9 X) C3 V( X( d
  • TA的每日心情

    2025-3-20 15:56
  • 签到天数: 138 天

    [LV.7]常住居民III

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    发表于 2019-12-25 16:31 | 只看该作者
    感谢分享,学习
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2019-12-25 14:30 | 只看该作者
    本帖最后由 topwon 于 2019-12-25 14:33 编辑
    8 N8 \) J6 F" ?9 ?! y7 I
    * ]$ G3 N4 G0 J. \, h8 V1 @$ ` MOS管防反接电路应用_TI.pdf (34.75 KB, 下载次数: 86) % A' C. m6 g6 x( a7 I: K
    MOS管防反接电路应用_IRF.pdf (93.72 KB, 下载次数: 51)
    + ^2 P7 z+ V1 ?8 x# M1 l
    + w7 `) @: e- e$ O5 A+ ?高端电源开关(用PMOS)和低端电源开关(用NMOS)的两种接法都有给出。

    点评

    谢谢分享!: 4.0 支持!: 4.0
    谢谢分享!: 4 支持!: 4
    谢谢分享  发表于 2019-12-25 15:11

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 踢哀(TI)的文檔不錯!^_^

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2019-12-25 14:07 | 只看该作者
    这个设计图应该是画错了。高端电源开关应该用PMOS管。接法是D接输入,S接输出,D10一般情况下也不需要安装,因为可以用MOS管工艺形成的体二极管(PMOS中由D->S)实现。电路作用,防反接电路。电路原理,电源正接时,体二极管正向导通,S极电压高于G极超过VGSon时,MOS管导通分流。目的,相比用二极管做的防反电路,减小了正向压降损耗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-12-25 15:02 | 只看该作者
    防反接电路
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-1-4 15:01
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    5#
    发表于 2019-12-25 15:19 | 只看该作者
    这个设计图应该是画错了。防反接电路一般用PMOS。

    点评

    Nmos防反电路也有啊。关键看MOS管的位置,切断电源的要用pmos,切断地的要用nmos。pmos一般来说比较贵,导通电阻也会大一些。nmos的话会有地电平浮动的问题。  详情 回复 发表于 2019-12-25 15:58
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    6#
    发表于 2019-12-25 15:58 | 只看该作者
    Lanceoo00 发表于 2019-12-25 15:19
    ) f4 G. |; E2 A" L- g这个设计图应该是画错了。防反接电路一般用PMOS。

    " E  \# H/ |$ n1 L$ {; _) x" fNmos防反电路也有啊。关键看MOS管的位置,切断电源的要用pmos,切断地的要用nmos。pmos一般来说比较贵,导通电阻也会大一些。nmos的话会有地电平浮动的问题。$ Z% E& f8 A# c

    点评

    同意你的观点  发表于 2019-12-26 08:33
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-30 15:44
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2019-12-25 19:44 | 只看该作者
    请问在VBAT供电瞬间,在MOS没有导通之前,S端电压值是如何由零电平升到开启电压(上电瞬间S端应该是零电平吧)?靠的是体二极管吗?谢谢! |* }2 s( i* Z
    + h, i5 @, Y& t5 l1 v# P4 q
    % g# R! b- n6 |

    点评

    是靠的体二极管,这个没毛病  详情 回复 发表于 2020-1-8 09:30
    对,就是体二极管漏电过去。  详情 回复 发表于 2019-12-28 08:38
    靠体二极管来导通。  详情 回复 发表于 2019-12-26 08:34
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-1-4 15:01
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    10#
    发表于 2019-12-26 08:34 | 只看该作者
    本帖最后由 Lanceoo00 于 2019-12-26 08:35 编辑
    % J+ H- d! ~) b7 z% N2 l5 ]
    YOTC 发表于 2019-12-25 19:44
    3 I. ~" W  _1 X! ]请问在VBAT供电瞬间,在MOS没有导通之前,S端电压值是如何由零电平升到开启电压(上电瞬间S端应该是零电平 ...
    , S9 Y' O; C& P# j: Y
    上电瞬间靠体二极管来导通。上电后S端电压上升,G与S就有压差了,此时靠的就是MOSFET了

    点评

    请问体二极管导通时,S端电压值VBAT-0.6V吗?  详情 回复 发表于 2019-12-26 09:35
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-30 15:44
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    11#
    发表于 2019-12-26 09:35 | 只看该作者
    Lanceoo00 发表于 2019-12-26 08:34
    6 x( i+ Z& n4 ^$ k: Z) [; M上电瞬间靠体二极管来导通。上电后S端电压上升,G与S就有压差了,此时靠的就是MOSFET了

    ; e$ v- q3 |7 h6 e' n0 p请问体二极管导通时,S端电压值VBAT-0.6V吗?5 t5 k- y% Z% J  j, a1 j) k
    / l" e# ^% M5 ?% d7 V4 u: e8 h3 \* j

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2019-12-26 09:59 | 只看该作者
    The simplest protection against reverse battery protection is a diode in series with the battery, as! o! u) _5 _( j
    seen in Figure 1.

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-12-26 10:02 | 只看该作者
    这个12VCC是输入吗?! Q; e( a$ k+ G/ u

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2019-12-26 10:18 | 只看该作者
    Q6是干嘛用的,续流吗
  • TA的每日心情
    开心
    2025-12-11 15:01
  • 签到天数: 66 天

    [LV.6]常住居民II

    15#
    发表于 2019-12-26 11:04 | 只看该作者
    感觉大家都很热心
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