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LDMOS器件参数测试详解

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发表于 2018-9-18 09:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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LDMOS是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比,能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射射频信号,因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区,不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。
一、LDMOS器件电学特性在线测试
1、阈值电压测试$ i0 e% V+ a2 w" j/ L
2、击穿电压测试
) u' n! C9 ]3 n0 d+ o3、输出特性测试
8 E3 [9 N; ^, [3 S
二、LDMOS器件负载牵引阻抗参数测试
1、负载牵引测试系统的构成
( @' _! J  O2 I9 Z! k2、TRL校准& h2 _3 }% ~3 D4 x8 w( p9 F
3、LDMOS器件阻抗参数测试
) @2 F/ b! _$ l4 j- Z6 u6 Q
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发表于 2020-1-7 15:40 | 只看该作者
谢谢分享,学习一下
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