NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01 · 发表于 2018-9-29 09:21

EDA365欢迎您登录！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

本帖最后由 haoxia01 于 2018-9-29 09:23 编辑

如图所以，问题也描述在图上
1.去掉负载，问题依旧存在
2.更换PMOS，问题依旧
3.更换NPN，问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

猜测原因
1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象

求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。

Jujianjun · 发表于 2018-10-14 10:05

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad · 发表于 2018-10-2 02:31

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

大家伙好 · 发表于 2018-9-29 13:40

本帖最后由大家伙好于 2018-9-29 13:42 编辑

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01 · 发表于 2018-9-29 10:40

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
要给EDA365点赞了。

解决思路
1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
问题得以暂时解决！

留帖纪念

goodboy32 · 发表于 2018-9-30 08:53

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0 · 发表于 2018-9-30 09:00

支持一个

haoxia01 · 发表于 2018-10-1 09:05

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
7 f" x; k* u/ q- ?! f9 Z# X6 Z# n* k7 Q能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地

victor0123 · 发表于 2018-10-8 09:57

学习了

lize314 · 发表于 2018-10-9 14:01

学习了我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta · 发表于 2018-10-9 15:01

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008 · 发表于 2018-10-11 10:57

学习了

hegx_2008 · 发表于 2018-10-11 11:10

我也没碰到过

Joen0_0 · 发表于 2018-10-11 17:44

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01 · 发表于 2018-10-15 19:24

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05* w" `3 K/ J9 Z, U6 C3 R
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

多谢版主出手相助！

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

NPN管控制PMOS管的怪现象

EDA365欢迎您登录！

点评

点评

点评

点评

浏览过的版块

推荐内容 /1