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深圳某公司高级layout工程师面试题目,看看你会几题。

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发表于 2014-5-29 15:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jimmy 于 2014-7-3 09:35 编辑
' ], L! y* D. v, r* f; u* A2 J8 J1 w' S  Q0 p* M
深圳某公司高级layout工程师面试题目,看看你会几题。& l- o. v7 j  H( M, B* d
7 u' M5 f' i. V; h6 B
是拉线工人,还是布线工程师,还是PCB高级工程师,看看你们平时的积累如何。1 F- B; b, R! U& E# r" f
8 }# Y6 l! v7 X  R. \9 y
(回复超过100页公布标准答案)) C1 b) L- K2 Y& I/ q; F+ m$ X

6 l# S5 m% H' y6 ?1,PCB上的阻抗怎么控制?
; d- P2 V  A, x. e( p% J5 D" \: I& |- L9 H- P% I
2,信号线的传输速率是多少?
, I! ?7 U0 e  A- I8 f' Z" g8 L7 o  S: c4 p/ l( b/ j
3,CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?7 i" s, P; n# @8 W$ m- [
: \6 z# a- w# d& e  T) t
4,TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?
$ w. B" i/ V2 G( K* ?4 v0 S$ H+ [( g7 w1 j
5,较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?/ ]9 q" m. P9 t( J

. {/ b3 u, V/ R4 Q6,四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。* o* `6 y2 h6 i: S( R, O
1 U) x: S) b: E1 h- @
7,ODT信号有什么作用?layout应如何处理?
0 {7 d/ ?( z! o5 \$ j: j" D" M$ u9 j! u* j/ I
8,VTT和VREF是否能共用?为什么?
1 Z0 f; M) p& y( L5 X, l
0 J9 P" l- Y/ ?2 I: c  _+ C* I9,DDR3的最高工作频率是多少?
5 ~8 T0 i7 k8 ^1 F' k& O
/ O0 T5 S' ~! ]: s10,多片DDR3为什么优先走fly-by拓扑?
# o' s/ m8 j, D) ]
+ U, f7 {3 \. J/ ]+ b***********************************************
: G2 E) S8 e# ?9 [. W
7 D% H. Y2 y% S2 i! a& A“PCB设计师职业规划与思考”  
4 y! J5 \5 w5 R* g
, g# _& X4 t, C" h9 ^ # l" i- f1 c" E2 a. C1 \
' v  I" ^4 n8 S  Q! H
***********************************************( X* d. {( M  g
1 L2 Z  k7 C) z" W- C
关于答案,敬请关注5月31日的EDA365培训活动系列~+ s; e- R: M1 U$ a. p4 r

$ I4 U$ L7 K- y, y. S3 \) v或回复超过100页将公布标准答案!2 E5 x9 z+ k& R/ K2 S
8 F, t, A3 R; z- k1 U% H) e7 u
***********************************************

评分

参与人数 2贡献 +10 收起 理由
shenzhiwu333 + 5 JIMMY老大,在网上给大家培训一下呗,线下.
sikixu + 5 很给力!

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发表于 2014-5-29 17:21 | 只看该作者
我就根据自己的认识来做一下, N7 o$ x( d7 T, S9 u8 V
1 PCB的阻抗怎么控制
8 m' d" `4 J' M% p. G# w  i  ^$ J  跟阻抗有关的参数有:铜箔的厚度,走线的宽度,板子的介电参数,参考层的高度,如果是共面波模型还跟参考面的间距有关系。控制阻抗就要确保这些精度。另外在制造或者其他的因素下造成的阻抗不连续,可以使用串接电阻来吸收反射。
+ }) ?: X; Q6 M: q( p+ i4 o  B7 M* G: ~2 ~; T' J! P4 j: T& a# F! w0 h! V
2 信号线的传输速率是多少?
2 i/ }* H, {/ i   这个不知道考的啥?我知道信号的传输速度是接近光速。不同的信号,传输的速率是不一样的。
( v# A5 Y' G8 ~  ~
* K$ ^, I+ l  {2 `6 b3 CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?6 j: O( \% c4 B- Q
   需要在输入管脚串电阻或者并联电容,因为CMOS的输入端阻抗很高,对静电很敏感
! q7 r9 u$ e3 _' X- z, c  X" c9 Y8 c
7 Q" P8 u0 R' |% v5 @4 TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?
) u% S8 R, s7 |  m   电压不匹配,TTL的H>=2.4V,L=<0.4V    CMOS的H>=0.8*VCC,L<=0.1*VCC- v% j7 b+ R; q# C( a4 T
: }2 I. D4 X  p- m8 u8 H3 y
5 较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?
6 f. e7 u4 f6 t   带状线指两边都有参考平面的传输线,这个是定义。周期性的时钟线具有很强的辐射能力,当走线长了之后,更容易辐射。所以走成带状线那么可以减少辐射。
" ]3 q3 U$ |; i0 v5 e" Q& S5 K- e$ x
0 H: {# L8 }9 \! x5 B3 p( l6  四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。+ E+ c; l; q3 h  e: `
    没有弄过,不敢发表意见。2 k3 d6 z" _  H+ Y4 Z& b1 S

: |4 O2 D, d1 S" \& g; z7  ODT信号有什么作用?layout应如何处理?. Z+ H- ?# y7 a5 U
    ODT信号用来开启ODT功能,主IC的是输出,DDR2的是输入。由于是控制线,跟其他的控制线等长。0 M- Y1 @7 }8 }, q3 c. h
: \8 P/ D3 D. h7 \. Y" `& a
8  VTT和VREF是否能共用?为什么?, h; e0 x( O( h
    不能,电流大小不一样。两个电压都是一样,但是VTT是给终结电阻供电的,电流比较大,干扰也比较大。而VREF是给参考电压用的,电流很小,电压的精度要求高。最好分开。+ ^  R; f( ~+ X/ U, n: a* n

$ J6 p: _7 L8 C3 B1 o- L剩下两个都不知道。
4 Y- G" D' k2 z) z& u9 a" a   
' ?! U; M. l8 @" x  @/ a
5 g4 K! D) o$ V0 A* r
/ n7 X" P  L/ i" M) U   5 L7 w5 A2 i2 U! z
+ l/ _6 @# a$ y& _
4 i0 T0 V. J8 x, b5 G4 r

点评

支持!: 5.0
厉害,很无私  详情 回复 发表于 2015-3-2 15:13
真心好厉害。。。。而且很热情回帖!!!  发表于 2014-12-5 09:58
支持!: 5
真厉害!!  发表于 2014-8-22 13:46

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发表于 2014-12-19 14:52 | 只看该作者
1,pcb上的阻抗怎么控制?2 d( Q4 J# Y  b& r
SI9000计算一次就全知道,楼上的基本都正确,还需要考虑微带线的表面绿油和是否包地。
  B- ]( Q9 E' n. `# h2,信号线的传输速率是多少?# d: n# ?% W2 T# [/ p
公式: Er^0.5*光速。+ W' n6 R; S! q* N
3,CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?
8 K* W7 ]( z: O+ s% t% Q' X& S0 Z4 L) W接上拉或者下拉电阻,输入高阻,同时需要旁路电容。注意栓锁问题和静电防护。
/ X* Z( `4 f3 C4,TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?
% O1 z8 ?7 B2 z3 \. ~( f: JTTL跟CMOS定义高低电平不同,其容错能力不同。另外,TTL是固定的高低阈值,CMOS根据VCC的不同,高低阈值不同。. F; h, h' j3 z) w; d6 I2 J
5,较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?6 U3 f7 O% |  W7 N, o
主要是EMI,CLK信号是强干扰源。正解是源端预留滤波电路,然后直接过孔走带状线。
5 z* v' u' {7 W! ^9 |6,四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。   \+ H; d* ?! N; F# ~6 f8 W5 ~
首先拓扑形式:改良性T形走线。中间要T点,两两菊花链,对称
: w& a% n( }  K: H5 W末端匹配靠近两两中间的T点,时钟匹配靠近DDR
1 }. z! S; C2 p% W/ N) R$ w两两的STUB等长,公用部分要大于分支,最好能2倍以上。
5 }% C7 O6 D% J2 s+ m  q4 S5 `其实最好走菊花链和FLY-BY,但是和SOC厂商沟通,很多SOC在对DDR的读写的时候不支持FLY-BY模式。
# ~6 D6 M  B  Y5 n. s1 g3 y+ X  [4 J( a0 }2 C1 U% k0 @9 l. F
7,ODT信号有什么作用?layout应如何处理?6 d+ T/ T4 s; H3 N! N8 m! `9 b
ODT:1,相当于一个末端匹配  2,给数据线数据传输的时候提供瞬间电流(这里的电流分正负) 3,减少DV、DT的大小,从而达到调整内存颗粒的CL等参数。等长,尽量短。7 V. P9 N3 ~* }* U! B7 J
8,VTT和VREF是否能共用?为什么?2 o3 \7 k5 P0 R
不可以。VTT是上拉电源,在DDR读写数据的时候,其瞬间电流的突变严重从而导致VTT上有很大的纹波。        而VREF是电子开关的参考电平,要求相当高,尽量做到1%的误差。所以要远离。并有隔离器件。! y( V$ u2 [6 n% {. K- a7 x3 H% |
9,DDR3的最高工作频率是多少?
# v- H; b, l* h2 U! r8 ^    3G。这玩意是一直突破的。车载很少超过1033,PAD等很少超过1600,只有那种台式内存条会做到很高。, q% I5 {5 f  J# Q6 o* J# y" z
10,多片DDR3为什么优先走fly-by拓扑?
" H) V4 K. j& u: o8 {这个需要从FLY-BY的拓扑定义上来:FLY-BY首先STUB很短,很多甚至是在焊盘上直接打孔,保证其信号的阻抗、分支长度、外部干扰的一致性;然后能保证同一DDR上所有地址、时钟、控制信号线都能做到严格等长,所有信号的延迟都一致;最后只有FLY-BY的拓扑形式才能挂到8片DDR。- L2 w5 ~, U2 j% E" H
. S# C6 o- O! n; D4 y+ m% v

6 |' I: X8 e$ }9 P6 a这东西不是单纯的PCB工程师了,很多都需要根据SI和PI的知识。我的回答也只能代表自身的一些理解,很多也只是一知半解,涉及的东西太多了。
  Q) P1 \) B7 ]7 |, ~0 [6 i同时请大神指正。

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发表于 2014-5-29 18:57 | 只看该作者
尝试着答一答。* G! B2 L+ G& z) D$ @
1,pcb上的阻抗怎么控制?: S% }( u" r. d9 A5 w9 q/ _& Z
阻抗受很多因素影响,单端线受线宽、介电参数、叠层厚度影响(我们一般给制版厂算,然后我们遵守),差分还受线距影响。
3 F+ q" o. z5 j9 ]: e2,信号线的传输速率是多少?
0 e% D: i& R3 r我们一般估计是6inch/ns 。但是不同介电常数的速度不一样、微带线比带状线快。
" ?0 t+ t& \5 E8 _9 G3,CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?6 ]+ |! Y3 M- t
我印象中好像没有专门因为是CMOS器件而作处理。输入处理主要考虑电平标准和信号边缘。
6 w$ v. B0 g% F" N: C3 f% G& x! i4,TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?0 B, O! y! `" ?0 r
基本没用过TTL电平的器件。8楼说电平标准不一样,但是CMOS也有不同的电平标准。接信号前还是得确认输入电压电流是否正确。' }* [2 S! [( k7 P& h9 U
5,较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?* I9 c4 K. P! a% `6 |9 P
除8楼的原因外,我觉得应该还有时钟是重要敏感信号,怕外部干扰。另外近期刚看到,带状线的远端串扰近似为0(《信号完整性揭秘-于博士SI设计手记》于争)。我想这也是个优势。' {0 K) F3 ~) ]) i
6,四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。
# Z2 [$ j& d6 N5 h没有布过。只布过单层的。' H# t% ~0 D4 _& E3 \' v  q
7,ODT信号有什么作用?layout应如何处理?)
) d$ a8 }6 |" V: r" X$ t& g片上端接选择。在双向数据线中用(个人理解因为是双向,所以有时候需要端接有时候不需要)。
$ I" b: c# c4 }, Mlayout要求如8楼。
! L% {8 q, |2 b; l; Q" J8,VTT和VREF是否能共用?为什么?
- h& i3 Y( A! D4 b9 H: k不能共用,VREF是参考电压,VTT是端接电压。VTT电压在内存操作的过程中会有很大噪声。
, O& D/ [: h4 H8 U. P/ M9,DDR3的最高工作频率是多少?
2 D3 J2 w1 S7 n: W5 d2000MHz(百度百科)4 N# R1 O  H: `0 r' w
10,多片DDR3为什么优先走fly-by拓扑?5 L. J7 X7 {: A, q5 s
fly-by如菊花链,减少分叉长度。个人理解分支很短的话类似集总线了。前面的芯片对后面的芯片影响小(肯定还是有影响的),后面的芯片对前面的影响大。' @1 q, X) s8 E! ^0 ~
7 w+ M+ F2 D  u! ~2 n# P' M
有不对的话请版主赐教。

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5#
发表于 2014-5-29 16:06 | 只看该作者
看了以后就知道自己该做啥了

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6#
发表于 2014-5-29 16:32 | 只看该作者
顶一下先,还真没一道题会。看来路途遥远啊

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7#
发表于 2014-5-29 16:43 | 只看该作者
坐等大师讲解

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9#
发表于 2014-5-29 17:10 | 只看该作者
都有那么点印象,学过,只有两三题解释得下来。。。面墙查答案去。。。

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10#
发表于 2014-5-29 17:16 | 只看该作者
坐等正确答案

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11#
发表于 2014-5-29 17:23 | 只看该作者
哎,楼上的能答得这样感觉都好厉害了。

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12#
发表于 2014-5-29 18:10 | 只看该作者
顶8楼的,添加一下,
* |) L. y( z  t. k5 E, L2,信号速率V=11.8/Er^0.5 inch/ns,Er是板材相对介电常数,11.8inch/ns是电磁波在真空中传输速率
2 A) A6 Z" X, J" C( u4 w3.补充就是CMOS输入管脚阻抗高,管脚对外界干扰信号敏感,一般上拉接电源或下拉接地。
2 @- `7 N" _: t9 .DDR3最高工作频率1600Mhz2 I4 y: a( Y4 {- F
10,还是等大师来精确解答

该用户从未签到

13#
发表于 2014-5-29 18:14 | 只看该作者
对于第8题,一般电路中即使两个不同电源电压相同,但是也不直接共用的,相互之间易干扰,对系统稳定性也容易造成影响

该用户从未签到

14#
发表于 2014-5-29 18:52 | 只看该作者
论坛里果然高手如云

该用户从未签到

15#
发表于 2014-5-29 21:22 | 只看该作者
学习了         

该用户从未签到

16#
发表于 2014-5-29 22:21 | 只看该作者
学习了,不错
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