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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › 电流监测电路工作原理 求指教
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电流监测电路工作原理 求指教

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fly_pigeon

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1#
发表于 2015-3-25 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个电流监测电路的工作原理是如何实现的，求大侠指教，在线坐等回复
/ D$ L# N3 V. @! W! g. f

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zlpkcnm

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2#
发表于 2015-3-25 15:28 | 只看该作者
图2，通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
; y* H( C- R" |/ \. T% G再仔细对照下图1中那个芯片资料，应该就有你要的答案了。

点评

fly_pigeon
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:45

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fallen

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3#
发表于 2015-3-25 15:38 | 只看该作者
典型的高位电流检测，而且你的图纸有问题，IN+是接R，IN-接S，R701也过大，一般都是0.4R以下，看电流。

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fly_pigeon
图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这个电阻也不算大  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:44

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fly_pigeon

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4#
 楼主| 发表于 2015-3-26 08:44 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:38; D* W; G1 h. V8 o
典型的高位电流检测，而且你的图纸有问题，IN+是接R，IN-接S，R701也过大，一般都是0.4R以下，看电流。
9 ?; n8 K% |, ?- j1 \2 t/ d( |
图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这个电阻也不算大# s- M/ `) H* ?% M5 m+ j$ z) W8 w

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fallen
没有问题？ 先看电流，1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降，你在大电流的压降那么大，能正确反映被测IC的电流？ 再看高位电流检测，我看了规格书，我之前说的IN+/IN-的接法是错的，你这个IC确实要反过  详情 回复 发表于 2015-3-26 10:29

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fly_pigeon

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-26 08:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-25 15:28# y$ c& @: r" o& A- F# c8 Q9 s
图2，通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V5 e' J- f  W/ @+ I8 u
再仔细对照下图1中那个芯片资料，应该就有你要的答案了。
3 A5 M& e4 J8 ~# F6 T. j9 t
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？
6 M* c% y* p; y/ Z

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zlpkcnm
IN+端口原理图上面的电阻可有可无，那是因为芯片内部是比较器（比较器特点：虚短虚断）。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧（这个我猜的）IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短  详情 回复 发表于 2015-3-26 09:12

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zlpkcnm

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6#
发表于 2015-3-26 09:12 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:45
* Q* h) N& @# `' w9 }5 i! P. l9 L我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？

2 S: F. \( `5 U  lIN+端口原理图上面的电阻可有可无，那是因为芯片内部是比较器（比较器特点：虚短虚断）。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧（这个我猜的）IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短虚断特点计算的。
9 O; P* c3 [7 A1 V兄弟4 @! g9 Z. ]6 v
芯片内部的逻辑结构图也是比较重要的一部分，需要仔细研究下
! \. m8 l5 k4 H$ W9 [
9 r- ^3 |3 M$ t- M( B
5 ~8 w1 [. s6 y& M, H' B$ ?" ?写了这么多希望对你有帮助
  E8 {3 D6 j$ V' R* ~" c* t

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fallen

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7#
发表于 2015-3-26 10:29 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:44! f  Y! D) V9 O) _+ k
图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这 ...
( ]% N" ~& z' h$ |. x* o. K
没有问题？
. K, a# _! u& n! C: ]5 W先看电流，1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降，你在大电流的压降那么大，能正确反映被测IC的电流？1 [& J- E6 s+ _* \, z, s" w8 C, B
再看高位电流检测，我看了规格书，我之前说的IN+/IN-的接法是错的，你这个IC确实要反过来接。而且这个输入失调电压就是10uV，你还能测试4.7uV?
8 g. Q1 `" N4 V5 Q

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yujingfa

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8#
发表于 2015-3-26 12:43 | 只看该作者
原理很简单的，简单画了个图。原理如下：MOS管U2引入负反馈，满足虚短条件，即运放正反相输入端的电压值相等。那么R1*Icheck=R2*I2（Icheck为检测电流，I2为流过R2电流）。又mos栅极及运放输入端阻抗极大，故流过R2的电流与R3的电流一致所以mos管源级电压为Vout=R1*Icheck*R3/ R2。   按规格描述电路基本正确，具体参数在算算，呵呵。后面那级二阶低通滤波？滤啥子啊？
3 l5 T5 {- ]" `' \+ }

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我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~  详情 回复 发表于 2015-3-26 13:46

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zlpkcnm

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发表于 2015-3-26 13:46 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 12:43  q' J& N" i: ?0 a; Z% H# ~4 h' Y1 R
原理很简单的，简单画了个图。原理如下：MOS管U2引入负反馈，满足虚短条件，即运放正反相输入端的电压值相 ...
: Y! S: b% l( L& h) g+ V
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~; h3 @7 q* q5 d9 T* s
7 X( H( e% W1 E) \2 b5 U

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yujingfa
PMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的，当然楼主的芯片确实应该用PMOS  详情 回复 发表于 2015-3-26 16:45

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yujingfa

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10#
发表于 2015-3-26 16:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-26 13:46
2 {; T$ Y1 I7 W& V6 V我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~

1 g/ `- o- c* R" e+ Y. DPMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的，当然楼主的芯片确实应该用PMOS" D2 s8 y4 v* z: ~& l( }

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zlpkcnm
恩，没错。所以该PMOS，运放正负端交换即可  详情 回复 发表于 2015-3-26 17:03

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发表于 2015-3-26 17:03 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 16:45+ o, h: ^6 {  G4 f* c+ m
PMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片 ...

1 D. `# K) p7 c* p7 f- W) v恩，没错。所以该PMOS，运放正负端交换即可! `+ w! u0 O0 J" ?* h

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