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[仿真讨论] 请教关于内层差分的阻抗控制

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-1-8 15:27
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2012-8-8 14:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    请教一下各位高手们:
    2 y0 g3 L8 q: K# @& R8 s最近做了一块8层板,层叠是SGSPPSGS,第三层有几对差分线,设计时是参考第二层的GND的,第4层电源层差分线下方平面不完整。结果印制板厂反馈第4层平面不完整无法做阻抗控制。说内层差分线必须有两面屏蔽的参考平面才能做阻抗。
    0 q: ]9 T2 v1 Z# F" v; j这个我不是太理解。按照自己的理解,参考平面是给差分线提供回流路径的,为什么一定要有两个参考平面才能做阻抗呢。而且SI9000里也是有差分线只有一个参考平面的计算模型嘛。
    6 O+ f7 \: Q4 c7 d如果按照这样说,内层的单端走线是不是也要求必须有两个参考平面?+ z8 g# v/ t% o2 s  C8 s
    + I, o( y* ]% g: K5 W/ L+ N
    请各位高手帮忙解惑,非常感谢!

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2012-8-9 16:29 | 只看该作者
    这个板厂应该说的有道理,同一根线如果不同段阻抗参考模型不同,则会影响很多参数,这个估计要分段计算和走线才行!!

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2013-6-20 14:56 | 只看该作者
    楼主最后问题怎样解决的呢?

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2013-6-26 14:21 | 只看该作者
    应该不会要求电源层是完整的平面. 我们也一直使用分割的电源平面的.1 i! u7 b- D  [" y' y, E
    只要差分线没有换平面就可以了.

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2013-8-1 09:29 | 只看该作者
    本帖最后由 lmh830626 于 2013-8-1 09:32 编辑 ) E5 {1 \1 S& `8 B# V, [0 W: u- Q
    2 x$ Q$ B  p1 d' p' B7 y$ H
    我这儿有一个八层板子,CPU与SDRAM的连接的地址走线区域对应的相邻层是不完整平面。9 T6 D! Q+ j5 C% ?. K
    # w' h; |4 o! L# P5 c3 J9 }% U. [
    这是飞尔卡思的一个开发板。
    ! a0 ?8 |3 c9 y" D9 g8 [
    6 e; w5 _3 ?6 J, r) K: O

    未命名1.jpg (16.9 KB, 下载次数: 10)

    八层板层叠

    八层板层叠

    未命名.jpg (199.04 KB, 下载次数: 7)

    中间黄色的竖线大部分是地址线,它的下层是完整的地平面,上层是不完整的电源层。

    中间黄色的竖线大部分是地址线,它的下层是完整的地平面,上层是不完整的电源层。
    头像被屏蔽

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2013-8-1 14:22 | 只看该作者
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