请问大家封装的S参数提取和PDN阻抗仿真和PCB的S参数提取和PDN阻抗仿真有什么区别吗，1.我理解的是封装提S参数是不是在芯片的PAD和BGA封装的ball加port就可以；2.封装的PDN阻抗，短路阻抗仿真是不是BGA的电源和地的ball加短路VRM进行仿真，开路阻抗仿真是不是把BGA上的电源网络选上仿真就是开路仿真。3.封装的IR Drop仿真，VRM加在BGA的Ball上，sink就是芯片。我这么做对吗？请大佬们解答一下。另外，如果想学习封装的SIPI仿真，哪里可以学习呢。, A* L$ p2 C. O# T! x) M
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发表于 2025-8-28 11:12