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RK3588 EVB开发板原理图讲解【五】

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sunychip001
  • TA的每日心情
    开心
    2023-3-6 15:51

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
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    1#
     楼主| 发表于 2025-3-7 16:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    RK3588 DDR电源PCB设计：5 U5 E0 }# O+ |$ Q; m
    1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽，路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。
    ) @* ^" @  x  {2 B) A3 x9 E3 W9 o0 d5 W% a    # X; d# p) V* {4 e$ k2 a5 B
    2、VCC_DDR的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降；去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。
    6 B; e; g: }" u% D# r, l    # w* i9 `% ^. v* F  q, w
    3、原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，其余的去耦电容尽量靠近RK3588，如下原理图所示。
    9 \% F* H! P  }    1 n5 H) M+ v) x& J) A

    - c+ g8 V) Y4 u9 \! b6 ?
    ! n# R( Q8 t; m2 y. t2 h) M- s5 p. o; x! M- H

    : D1 c# c' K$ ~1 ?2 ?/ t4、RK3588芯片VCC_DDR的电源管脚，每个管脚需要对应一个过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，同时建议走线线宽10mil，如图3所示。
    : O) g& @) y8 ^. E' L( J. l    " X- `8 ]8 Z( c5 A
    4 Y, E) H9 ^' f

    / u6 c' i6 T. j图3. VCC_DDR&VDDQ_DDR电源管脚“井”字形链5 x! t' M1 R7 n# O3 i" g% R
    9 V$ r- k1 `7 Y' n. c+ x8 M$ k% F
    当LPDDR4x时，链接方式如图4所示：* u9 f/ }- a( u; N9 }

    2 y9 {5 {& K, j$ b6 x. r; ~
      g0 n$ ^7 _* H* o* t  W# |/ v    2 N: [; {& a5 N
    图4. RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的电源管脚走线和过孔% |, d* t& I9 C4 _

    7 t' W% u% N: K- x1 ?5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于200mil，尽量采用覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。
    ' E. H, h6 v3 G' b" ?+ w6 L: A; j
    # c+ ?7 A7 V0 h! X+ @2 e. x7 I1 V5 G; G# i& W3 L3 Z
    6 ~0 W9 m9 j: w4 v4 l

    ' V0 Z$ v% |- i! X% [5 }% Y/ h7 \
    6、RK3588 GND 管脚 PCB 设计
    RK3588 芯片的 GND 管脚，至少保证每 1.5 个 ball 需要对应一个过孔，尽量每个 Ball 对应一个过孔，$ l( c) {' E3 E2 @: J/ q0 D
    提供更优的 SI，PI 条件，以及对散热也有帮助。
    " C6 ~' H2 `; G- ^" [$ ~- S/ XRK3588 芯片的相邻层必须是一个完整的 GND 平面，保证主参考地靠近 CPU 的 Ball，用于保证电源
    / G- f5 F1 L& i; \完整性以及加强 PCB 的散热。
    6 {3 U5 ^# ?# h* [, s- |1 z- S7 W3 h- c
    8 y' J6 ?/ B" [% \3 {" C0 H0 f& IRK3588 芯片下方相同网络的 GND Ball 在顶层走“井”字形，交叉连接，建议走线线宽 10mil。
    1 i' A$ m8 h0 _3 }' G' i9 J
    % r& ~' ]# G% p1 ^$ l' }. _5 n5 ?' d
    现在把RK3588 DDR的layout部分关键层展现出来看看效果
    8 w0 N" o/ E8 t6 g3 f; U
    ! m& i1 l2 Z: t
    4 v& U3 M/ u4 i. K# I. m8 J( K! s) ^
    # @) W, ^4 d: C8 v  H
    8 U; d7 X5 Q: ~! `% S% U' c" c; o
    整板效果8 \8 {9 q* c7 O1 W

    6 h3 ~+ g( \3 Z3 R8 aRK3588 EVB开发板原理图连载：
    & E' v) ^" l0 s6 _& p9 W) hRK3588 EVB开发板原理图讲解【一】RK3588原理图设计- 整体框架设计) f/ d/ E: h) y* _7 [
    RK3588 EVB开发板原理图讲解【二】RK3588原理图设计- HDMI输出设计; H) ?- r$ O- v/ Y) N( i3 J
    RK3588 EVB开发板原理图讲解【三】RK3588原理图设计- 电源管理设计4 a" D% ?6 D! @
    RK3588 EVB开发板原理图讲解【四】RK3588原理图设计- PCIE接口设计- u6 f! e) f8 l; y) g  S: u

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    Quiescent_521

    该用户从未签到
    2#
    发表于 2025-3-10 19:11 | 只看该作者
    开发板好的很不错

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