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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › PMOS竟然导通了？！
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楼主: Scisci
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PMOS竟然导通了？！

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guchenglihua
  • TA的每日心情
    开心
    2025-9-16 15:57

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    [LV.8]以坛为家I
    16#
    发表于 2025-1-2 16:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-2 16:27
    * ]1 X+ q" l% v0 a& e& X这个图有防倒灌功能吗？BAT1供电时，BAT2有没有电压？

    . j7 y7 m3 t8 H9 o2 O' a( b) N有呀，给备用电池灌点电不少很正常吗，但备用往往电压比主电池高，所以不用担心灌点问题。
    " M; L& k1 {2 @  ?& \4 d. u

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    huo_xing
    好吧。你高兴就好  发表于 2025-1-2 16:31

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    guchenglihua
  • TA的每日心情
    开心
    2025-9-16 15:57

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    [LV.8]以坛为家I
    17#
    发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 15:33
    , ~' \" p- ]( C2 j$ P) q) d这边的疑惑是M1为啥能导通了，（看现象是），（对M3接法，故意让它体二极管上电导通的）

    ) I- X, s$ a0 y/ g) E是不是真的导通了，光看电压没有，最好串给电流表，看下是不是持续有电流，还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。
    : K7 G  |$ M4 W

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    18#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    本帖最后由 Scisci 于 2025-1-2 16:49 编辑 $ `. N4 T" O5 N( M, ~+ k. Z' \* P
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:22
    1 P; n, A& x& r3 d2 C5 N你从那里看到M1是导通的？如果M1导通了那么M3还能导通吗？你不知道MOS有寄生电容吗？来网上给你扒一个双 ...
    ) Z- Q4 {- _( M& E- A
    好哒，可是，M1如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的电压啊，想不明白，另外如果M1是导通的话，M3失去作用了，始终通过体二极管导通，会有问题（发热很厉害），不知小弟分析的对不对，我10楼有再贴一个仿真验证。9 d0 Y. @  v2 p7 P. q

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    19#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:38 | 只看该作者
    bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:226 ]7 `& [! Z4 v: _4 c
    看M3的D和S方向!!

    % B/ b! U* }+ K故意对调的，另外这边疑问是M1不是M3，M3故意让电压过来的
    6 B3 F" L3 H" Z, ]6 J# g, y, ^

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    guchenglihua
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    [LV.8]以坛为家I
    20#
    发表于 2025-1-2 16:48 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 16:36
    9 q5 H% Q: K# w2 X% G# S- _好哒，可是，MI如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的 ...

    4 P3 E) y! a* Z8 i/ J2 h. A% x的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？3 E  v/ M6 L; n5 [0 M4 Q

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    Scisci
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:03

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    Scisci
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    2025-1-16 15:21

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    21#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:03 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:48
    ! [  Y0 a9 \! E的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有 ...
    " Y. v. r+ X5 @4 M9 A
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。+ {  H0 y1 P3 ]

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    带300R负载测试

    带300R负载测试

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    guchenglihua
    那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:23

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    22#
    发表于 2025-1-2 17:23 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:03
    0 I6 {; s+ p. U8 o! M4 S这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该 ...

    , x0 ~8 @9 Q& C那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。
    # L+ w6 P/ r9 z5 v3 u3 G% _" b) Y8 Y3 L

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    23#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:36 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:23
    2 `3 w) v6 a2 A3 t5 c那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上 ...
    9 X) V6 `) t! U9 k" ~
    是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。4 x3 Z6 [% h( O

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    24#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:40 | 只看该作者
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。。。
    + C4 ]5 x+ p2 Y$ U& e

    点评

    huo_xing
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？ 当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。  详情 回复 发表于 2025-1-4 10:20
    guchenglihua
    不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:55

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    guchenglihua
  • TA的每日心情
    开心
    2025-9-16 15:57

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    [LV.8]以坛为家I
    25#
    发表于 2025-1-2 17:55 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40, W% P; g, m7 s5 b9 h  |4 F# M
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

    6 I9 Z) a2 }8 K3 }; b2 C  j不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电源一直放电。
    2 [0 k2 _. s) s7 B5 L* S

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    IO357
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-11-21 15:17

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    26#
    发表于 2025-1-4 09:08 | 只看该作者
    R1是330K   2.249V，   加了R3 330R 2.99V，  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K， 这个值是哪来的？

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    huo_xing

    该用户从未签到
    27#
    发表于 2025-1-4 10:20 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:407 R. ]- b8 U; `0 f
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...
    8 X: D% j& R2 t* F% K3 M
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？* d3 [% a, |, z1 ^) W8 M. N6 L
    当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。! r# F, ]0 W; o+ q7 J( h- E

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    Scisci
    感谢答疑  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:21

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    28#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:19 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55
    8 C; T; N. y) D9 `不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V ...
    & I7 M$ U8 ~2 t" E- ]: |$ A; [: h
    被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。
    ! {9 m/ h: h' M+ ^! X3 ?, F

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    29#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:21 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-4 10:20' n/ o9 \9 f$ Y
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？* M# B4 j( W/ Z2 j2 U9 |$ X- _
    当然，如果你要求不 ...

    9 i# d# m1 U0 ?, _. D4 S感谢答疑
    ; a% `4 t2 v& u% N, Q% u2 O+ [6 ^) L

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