|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2024-12-20 18:53 编辑 9 u& O( b% y z5 z" V6 f$ `; I) v3 J
1 F9 G& d V! z, o全桥拓扑相比于半桥或推挽拓扑,具有更高的功率处理能力、对称的电压转换特性以及更好的效率,常常适用于高功率和高效率要求的应用场景。比如:不间断电源(UPS)、电源转换器、电源转换器、音频放大器等等。% ~" N4 ^! v/ @1 X# S. h8 T
% q- I3 _" F1 s* ^6 Y
本文重点介绍的这一款MOS管是验证用于12V/24蓄电池搭配的UPS中的全桥拓扑电路中。此类UPS通常在SOHO小型化办公室和家庭办公需求的设备中使用。它是一款纯国产MOS管并能替代IRFB7545PbF型号场效应管使用。' L% F5 l! z D5 j6 q' u
; x% A: E1 C. ]3 W1 X0 D% ~# M- Y+ R$ _9 v" |$ M
它就是来自飞虹半导体研发、生产的FHP1906V型号MOS管,能够代换IRFB7545PbF、HY1906、FHP1906A等型号的国产MOS管来应用于全桥拓扑!1 v0 n/ c) m6 n0 X
% @# m% ^8 Y q O+ ?( [+ }它作为一款N沟道增强型场效应管,以其120A、60V的电流、电压特性,电子工程师不仅可以应用于全桥拓扑中,还可以用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制和驱动等应用场景。
3 `& _9 ^; {0 p! H
/ \5 a9 y6 d$ K0 a' z, ?2 w( t Y4 X, a; q
这款FHP1906V场效应管产品具体参数:Vgs(±V):30;VTH(V):3;ID(A):120;BVdss(V):60。RDS (on) = 5.0mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 6.0mΩ(max)@V GS =10V。
$ W1 c3 p2 H- V! F3 s3 ~( B8 m
6 Y+ ?5 m) d8 o- z! L) Y( q上述参数都是FHP1906V能代换IRFB7545PbF作用于全桥拓扑解决全桥电路的效率、功率密度、热管理和整体可靠性等问题。
/ s( l0 {, e6 x$ u+ z& K E3 q( E$ V) i8 w. N6 B9 n8 v
+ L. Q' A2 r, Y! J, ~. g# C7 N除此以外,FHP1906V的主要封装形式是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。; v( i/ @' k: h' A- m
+ H$ G; n+ X0 Y# J r
采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,实现系统小型化和高效率。- a2 Y( N* [% O0 Z- s' Y- m
3 @4 @5 b( A+ ]8 E, I c
若要介绍一款120A电流、60V电压的MOS管,优先推荐纯国产的FHP1906V型号来代换IRFB7545PbF应用于全桥拓扑中使用。- P6 g% p$ B) w! n
3 |1 T F/ N3 h" v! N0 I/ I) h c! r& V# W5 J# |# m& X. c. I9 O
120A、60V的MOS管代换使用,对于全桥拓扑选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于全桥拓扑中,还可用于车载高频变频器、户外储能电源、电机驱动控制器等终端应用场景。
8 ~' y% ?0 j% j: X8 S% |, |8 y2 O4 t, H# v( N* j1 j' W0 u& L$ m
为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可6 W* M1 m$ M1 w! ?" U; m
" S, M7 n7 z) i5 i |
|