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自对准平面工艺的硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS7N65F A9R

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kwanghua

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 楼主| 发表于 2024-9-23 11:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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CS7N65F A9R 是采用自对准平面工艺的硅 N 通道增强型 VDMOSFET，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：- Z  k/ O" @; D8 q+ L" A; l
快速切换' t5 t8 j* D, w  e2 H; ^6 l
低导通电阻（Rdson≤1.4Ω）/ l; C. c% q9 w6 E
低栅极电荷（典型数据：24nC）3 T/ q# @3 U, t6 x/ K0 b% U
低反向传输电容（典型值：5.5pF）
# |/ A& E; ^& [6 T100%单脉冲雪崩能量测试2 e# U4 |/ g# f* s( e
应用：适配器和充电器的功率开关电路。+ g) X' n2 w# {$ u8 F

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