硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

kwanghua · 发表于 2024-9-21 09:29

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CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：
快速切换
低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
低栅极电荷(典型数据：32nC)
低反向传输电容(典型值：7pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用：
适配器和充电器的功率开关电路。

s8484ww · 发表于 2024-9-23 10:38

能申请样片吗

kwanghua · 发表于 2024-9-23 11:31

s8484ww 发表于 2024-9-23 10:38
# M, L: z- t2 y8 I" G! s4 n- w* i能申请样片吗

可以先加一下，vcs01-Kwanghua

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硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

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