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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 信号完整性SI/PI仿真 › SIWAVE仿真封装长bump错误
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[仿真讨论] SIWAVE仿真封装长bump错误

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hhh虎次郎

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1#
 楼主| 发表于 2024-3-18 16:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图，封装仿真需要在Layer1和RDL之间长bump；在cadence package designer中BUMP是个器件，它在RDL层和Layer1层都有名为BUMP的的PAD存在（该PAD没有连接Layer1和RDL层，俯视图重叠）；现在我在siwave中设置solder ball properties，选择焊盘BUMP，选择从Layer1往上长BUMP，但是BUMP总是从RDL层往上长，导致RDL层和Layer1层之间是断路的；这是怎么回事；
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hhh虎次郎

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2#
 楼主| 发表于 2024-3-18 17:00 | 只看该作者

' W: V) @, L( s7 x" u" d+ l& @- J

0318.jpg (24.98 KB, 下载次数: 2)

0318.jpg

点评

bingshuihuo
增加ball 方向反了  详情 回复 发表于 2024-3-25 09:04

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apricot
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-8 15:42

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    [LV.7]常住居民III
    3#
    发表于 2024-3-19 13:55 | 只看该作者
    6666666666666666666

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    tencome

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    4#
    发表于 2024-3-21 19:06 | 只看该作者
    DIE 不是Flipchip 模式导入的APD?

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    hhh虎次郎
    导入ANSYS的时候没有这个选项啊，flipchip只能在器件模型里面设置，设置完之后还是这样；  发表于 2024-3-22 09:46

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    tencome

    该用户从未签到
    5#
    发表于 2024-3-22 22:57 | 只看该作者
    看看 die 导入package designer的时候是不是用FLIPCHIP模式导入的

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    bingshuihuo

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    6#
    发表于 2024-3-25 09:04 | 只看该作者
    hhh虎次郎 发表于 2024-3-18 17:00

    8 {" e* p4 W' |7 |9 |, R增加ball 方向反了8 @+ y3 b: N" J

    点评

    bingshuihuo
    赞！！！！！！！！！！！！  详情 回复 发表于 2024-3-27 08:13
    hhh虎次郎
    没反，如果我反过来，ball就会从L1往下长，L1和RDL之间还是断路的；最后分析下，这是因为器件在L1和RDL都有焊盘造成的，把RDL层的东西全部删掉，ball就能从L1往上长了；  发表于 2024-3-25 09:51

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    bingshuihuo

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    7#
    发表于 2024-3-27 08:13 | 只看该作者
    bingshuihuo 发表于 2024-3-25 09:04: a2 [, w! Q- ~; ?3 P9 ~4 K
    增加ball 方向反了
    * g  l0 m* K& s" i5 O+ d3 Z
    赞！！！！！！！！！！！！! [, A) h1 w$ P

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    SIPI明同学

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    8#
    发表于 2024-3-30 23:06 | 只看该作者
    需要保留RDL层的话，建议去3dlayout里面设置。2PI+RDL模型用SIWAVE建模是有点问题。

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    Dc2024031911a
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-21 15:17

    • 签到天数: 399 天

    [LV.9]以坛为家II
    9#
    发表于 2024-4-12 14:26 | 只看该作者
    666666666666

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