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本帖最后由 Heaven_1 于 2024-1-30 10:07 编辑
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中国制造在“新三样”:电动载人汽车、锂离子蓄电池、太阳能蓄电池的带动下让世界对中国有新的认识,也带动出口突破万亿元大关。而在1月17日四川雅江探获锂资源近百万吨,是亚洲迄今探明最大规模伟晶岩型单体锂矿。) b t, Q# |, Y: p @/ I M- c
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这一新发现必然能带动新三样行业的进一步发展,而这三样涉及电池的都离不开锂电池保护板的使用,因此对于锂电池保护层厂家必然有危有机。
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" Z$ ^" k% n' q; e为什么这样说呢?因为市场的扩大必然带来新的竞争,如何在竞争中脱颖而出核心靠的一定是产品力。而对于锂电池保护板的产品力提升,其中肯定离不开对于MOS管的选择。: c4 U: w1 Y d" Z1 Q
8 E2 e7 [9 ~, r( N# Q, N那么如何选择一款可靠而优质的MOS管来让自身的锂电池保护板更加稳定、可靠、安全呢?飞虹半导体的工程师建议可以使用110N8F5B来代换SVG095R0NT、 IPP052N08N5等型号参数场效应管。$ h* X+ R7 D- q# q' k& y
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" S5 \3 {+ m$ i% F7 n# D为何是选用110N8F5B来代换SVG095R0NT、 IPP052N08N5等场效应管呢?这是因为这一款封装为TO-263封装的MOS管已经是广泛使用在各类锂电池保护板中,得到非常多的厂商认可,而且它的85V电压、147A电流参数也是很适合使用在锂电池保护板中。' z& r8 |7 @* w8 _; T
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具体的产品参数我们再来复盘一下:8 `- V6 U1 W% ~" |0 {/ n4 c
' r2 [' ~* ]3 {) [5 u具有147A、85V的电流、电压, RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) =5.5mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。
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* P9 n7 Q1 q& T3 v; Y110N8F5B是一款N 沟道增强型场效应晶体管,TO-263封装大小适合电路。# t( J2 j# y) S5 F! ?2 T/ l- n
/ R8 X- H. i% L2 x这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
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' x. Y( J' I9 T9 `* D9 L最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A)、反向传输电容:23pF。( h) H* c2 k& h' W- A
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在全球市场中有新的增长点是一个重要的机遇,因此锂电池保护板厂家应该抓紧提升产品力,寻求强大的电子元器件的供应链厂家来保障。建议了解飞虹国产型号:110N8F5B型号参数来替换SVG095R0NT、 IPP052N08N5等型号来应用。
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147A 、85V的MOS管替换使用,选对的型号参数让企业产品力up。
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