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littlefs文件系统掉电保护是如何实现的?

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发表于 2022-9-15 16:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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文档: 在 STM32L4 上应用 littlefs 文件系统9 Y3 v5 I( T! `" ~" L4 K

, e  h, g( @, y' B7 s3 y8 r3 K文档上说little fs支持 擦写均衡 和 掉电保护;- y5 q( L( L& e1 O: E4 Q- P$ I
擦写均衡可以理解,通过打包几条写入,由写入几次变一次,从而增大flash寿命;
( I) d. v4 \2 W" v. l) o# T3 Y这样要写入的数据临时保存在ram中,掉电不就没了,这个掉电保护是如果实现的,是用电池供电的ram吗( U$ X7 {! `& m' e/ z5 \# }+ O

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2#
发表于 2022-9-15 16:49 | 只看该作者
以FAT文件系统为例,当文件创建并写入数据后,这个数据就在固定的位置了。0 `/ ]; @# o2 Y" |

9 L; d/ \' B( ^& f然后我们对文件中数据修改10000次,但没有增大文件体积。这个固定位置就被写入了10000次。/ n7 w4 I# Z6 C+ c0 f
而带有擦写均衡特性的文件系统,即使你修改文件原有数据,而不改变文件大小,他也可能每次写入在新的位置上。5 k: Q" b, _9 f
  Q) p$ Y# l9 g$ M, y3 p" x' X
基于上面的原理,当你新的数据写入1半掉电了,此时你的原有数据没有任何损失,那么再次上电能看到你写入前的状态,这就是掉电保护。而如果你用FAT,那再启动整个文件系统可能崩溃,特别是写关键数据时。% x& t: ~" d1 s2 c9 V  h
当然FAT有也有一点点考虑,如双FAT表,但反正效果一般。
6 Y  v# [7 B( c' w) g5 o( c2 {+ ]+ Y0 N: ~3 t. R$ z
以上仅是简单的原理说明,实际的实现中要复杂得多。
( ]/ b2 N: a) O+ `6 v9 Q当然,即使有这些特性,你依然可以在硬件上增加RAM缓冲和额外的电池。
" `7 y$ e/ Z. _5 d( ?. p

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发表于 2022-9-15 17:33 | 只看该作者
Flash有多个可用的扇区,但平时我们读写参数总是蹂躏某些特定的区域,久而久之这块区域就容易损坏。擦写均衡呢就要雨露均沾,所有扇区挨个用,这样就变相的延长flash寿命了。
' j- R2 M& G" f) }  z掉电保护9 N0 ]$ l4 d' n; ?8 x5 t4 B
这个和ram无关,写flash的时候要先擦除才能写入,如果刚擦除就掉电了这时候不光是新数据没了,就连原来的数据也损坏了。引入掉电保护可以让flash的数据恢复到上一次完好的状态。* L0 h8 ~/ I" {# p- D( b+ _
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