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SDRAM初始化过程如下： 1、加电 2、延迟指定时间，从第一个sdram的clk开始，通常为100us。具体值请参考SDRAM手册 3、延迟一些自动刷新周期，通常为两个 4、设置自动刷新寄存器 5、等待一定时间以后开始写模式寄存器 以下程序以L7205SDB为例 AREA STARTUP ,CODE, READONLY ENTRY ! [; k) P/ \/ O
start ；关中断 LDR R4，=0X90001000 MVN R5，#0 STR R5，[R4，#0X0C] STR R5，[R4，#0X10C]
0 X& j6 B" ^6 f5 H2 u0 @ ;延时 LDR R4，=0XFF 01 SUBS R4，R4，#0X01 BNE %B01 ；%B01表示向后搜索标号01
3 C3 r- e1 z# v' g8 ^8 |8 S2 I3 m ;1)NEXT寄存器 LDR R4，=0X80050004 LDR R5，=0X05FD4717 STR R5，[R4]
7 r; U6 C1 @% X$ x, | ;2)运行寄存器 LDR R4,=0X8005000C LDR R5,=0X014717 STR R5,[R4] 8 \$ J- j% ^% }6 r, r) w
;3)命令寄存器 LDR R4,=0X80050010 LDR R5,=0X01 STR R5,[R4] % F8 E5 E3 _5 ^9 g' N4 g2 N: P
;4)设置enable LDR R4, =0X80050030 LDR R5，[R4] 0RR R5，R5，#0X4 STR R5，[R4] 8 W- E2 _8 e9 ?0 x4 {4 D8 P
;5)延时200us MOV R4，#0X1000 15 SUBS R4， R4，#1 BNE %B15 2 z6 E* s3 M( J, ^4 E, l/ R% v
;6)使能slot1、slot2的7、3位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#0X88 STR R5，[R4]
* H/ Y; b M; `* S% C' \* m ;7)refresh timer LDR R4，=0XD0000004 LDR R5，=0X8 STR R5，[R4]
8 c# S) w* F; K! a9 ~) d ;8)auto refresh enable 23位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#(1<<23) STR R5，[R4]
8 c/ E& g) s2 j ;9)延时1us MOV R4，#0X16 15 SUBS R4，R4，#1 BNE %B15 . j# `8 J' l. R1 L
;10)设置模式寄存器 LDR R4，=0XE0000000+(3<<11)+(2<<15) LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#(1<<24) STR R5，[R4] $ E8 g' R: d5 s. i
;11)WD,WM位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X00EF00CE ORR R5，R5，#0X30000 STR R5，[R4] 4 N, x# \ @% I& m3 ?7 O3 q
;12)refresh timer LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X200 STR R5，[R4，#4] . y- T- |* @+ R. C+ I* J
;13)timer buffer register LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X55 STR R5，[R4，#0X8]
% Z+ v$ l" ?, L U$ l% S/ f% n ;14)禁止MMU MOV R4，#0X0 MCR P15,0,R4,C1,C0,0 3 S* f3 g6 D- T8 D7 i0 X, Y% n- l
;15)halt MOV R4，#0X0 ；这个无意义
8 H4 Z. v7 U- s2 T1 l/ B" K ;16)设置MMU SETUPMMU R4，R5，R2,R3，R9，R7 ；通过SETUPMMU宏来设置MMU
) I5 G( A K2 ?! ? ;17)halt MOV R4，#0X0
1 K- x3 n( u* K3 ]4 g. t' K- d ;18)重映射 UNMAPROM R4，R5 ；通过宏UMMAPROM来把R5映射到地址R4即0X0处
6 n2 @* g+ F; ^1 k# Ohaltthere ;19)halt MOV R4，#0X0 Config32 EQU 0X0 MMUOn EQU 0X01 CacheOn EQU 0X04 WriteBufferOn EQU 0X08 PageTableSize EQU (1<<14) SDRAM_Bank1_High EQU (0XF1000000) SDRAM_Bank2_High EQU (0XF2000000) SDRAM_Bank1_Low EQU (0XF0000000) SDRAM_Bank2_Low EQU (0XF1000000) PageTableBase2 EQU SDRAM_Bank2_High-PageTableSize PageTableBase1 EQU SDRAM_Bank1_High-PageTableSize PageTableEntryCount EQU (0X1000) VirtualPageTableBase EQU PageTableBase2 IOCS0Base EQU (0X24000000) IOCS0Size EQU (0X4000000) IOCS1Base EQU (0X10000000) IOCS0Size EQU (0X4000000) SRAMBase EQU (0X60000000) ' c' ]" C- z! P7 u4 F$ m' o
DisableMMU EQU (Config32：OR:0X40) EnableMMU32 EQU (Config32：OR:0X40：OR:MMUOn) EnableMMUCW32 EQU (Config32：OR:0X40：OR:MMUOn:OR:CacheOn：OR:WriteBufferOn) ；宏SETUPMMU生成一级页表，建立以1MB为单位的4G虚拟存储空间的地址映射关系。 0 D! U& t" M8 ~# y
MACRO $label SETUPMMU $base,$desc,$tmp,$tmp2,$cnt,$indx
1 U$ K0 W) {0 t% J6 O/ ?& {7 `ROUT ;用于调试时增加可读性 [ O=0 ;IF NOP NOP ] ;ENDIF # L9 T( \$ v$ f0 g$ E
;禁止MMU MOV $tmp,#DisableMMU WriteCP15_Control $tmp
+ `6 C {% a5 O" ~% t$ U' I;自动识别系统中SDRAM大小，并把结果保存到系统中特定位置 AutoSizESDRAM $tmp,$tmp2,$base,$desc,$cnt,$indx
+ S7 @3 T) U8 H! E% ] MOVS $tmp2,$tmp,LSR #16 EOR $cnt ,$tmp,$tmp2,LSL #16 LDRNE $base ,=PageTableBase2 LDREQ $base,=PageTableBase1 STR $tmp2, [$base,#-4] STR $cnt ,[$base,#-8] ;保存一级页表的物理地址 STR $base ,[$base,#-12] ;计算扩展槽1中SDRAM的起始地址，以便使SDRAM1和SDRAM2地址连续 ;address=Bank 1 base address +Total possible size of bank1-actual size of bank 1 ;address =0xF0000000+16MB-Size LDR $indx ,=SDRAM_Bank1_High SUB $indx,$indx,$cnt,LSL #20 ;保存该起始地址 STR $indx, [$base,#-16] ;建立4G的虚拟地址空间到物理空间的映射关系 ;各块的存储访问属性设置成uncached、unbuffered ;各块的域标识设置成domain 0 客户类型 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc,=MMU_STD_ACCESS MOV $indx ,$base LDR $cnt ,=PageTableEntryCount - V" v. `. V P4 F( q* h' ]
01 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B01 ;建立包含页表的页存储的地址映射关系 ；该页默认的虚拟空间在扩展槽2的高端16KB的区域 ;如果系统扩展槽2中有SDRAM存在，则该存储页的地址映射关系不变 ；如果系统扩展槽2中没有SDRAM存在，则将该存储页映射到扩展槽1的高端 LDR $desc,=MMU_STD_ACCESS& X0 T' Q# g# }
LDR $indx,=VirtualPagetableBase* q: E( u/ ~% Q% U
LDR $tmp,=0xfff00000) [: s' R1 I3 p, m
AND $indx,$tmp,$index ;读取虚拟地址的高12位
; G+ h3 S3 b' n8 T. ` ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性）% Y) A1 C0 H; Z8 \( A" {, Y
ADD $indx,$base,$base,lsr #(20) STR $desc,[$indx] ;建立CS0选择的静态存储器的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;CS0选择的SDRAM的物理地址空间为0X24000000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X24000000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =IOCS0Base LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(IOCS0Size>>20) : g4 U5 Y0 V( P
03 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B03 ;建立CS1选择的静态存储器的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;CS1选择的SDRAM的物理地址空间为0X1000 0000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X1000 0000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =IOCS1Base LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(IOCS1Size>>20) " i7 c7 t+ h. k- z0 F
04 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B04
, B. U9 x7 e* @8 `4 k ;建立片内SRAM的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;SRAM的物理地址空间为0X60000000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X60000000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =SRAMBase LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(SRAMSize>>20) 0 N. r* {8 l# P
05 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B05
9 Z$ }% U& X1 J4 w ;清空cache以及写缓冲区 ;重新使能MMU ;设置域访问控制寄存器为domain 0 ;其他域没有任何访问权限 LDR $tmp, =0x5555 5555 WriteCP15_DAControl $tmp WriteCP15_TTBase $base MOV $tmp ,#0 ;清空cache CP15_FlushIDC $tmp ;清空TLB CP15_FlushTLB $tmp ;重新使能cache和写缓冲区 MOV $tmp , #EnableMMUCW32 WriteCP15_Control $tmp / c" g4 t3 u5 V O2 F2 a
;等待流水线上指令执行完 NOP NOP NOP NOP NOP MEND
" x, ^- U) C* I" g: {$ h |
/1 
发表于 2020-12-25 14:50
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