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失效分析主要步骤和内容有哪些?

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发表于 2020-6-10 17:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1. 芯片开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bondpads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。
' Y1 G- j3 T7 e8 R: w2. SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。- P% e/ i. i' M3 {
3. 探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。2 @# @( H$ x; u2 g
4. EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。
0 j, x0 N$ E9 m% S5 w5. OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。( J. O0 M4 Y& G  {" x
6. LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。
$ j3 T! D+ b, n$ [" j0 D7. 定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。. x7 S# r& r9 _' ^( R, W' ]) h5 f
8. X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。7 E0 K3 @4 Q6 @  n3 u6 x
9.  SAT超声波探伤可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:o晶元面脱层,o锡球、晶元或填胶中的裂缝,o封装材料内部的气孔,o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。% U9 H1 W& ~% b; k7 H$ I. w
上海宜特实验室提供
% i7 Y$ y8 L$ {/ E

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发表于 2020-6-10 17:28 | 只看该作者
OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析
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