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为什么MOSFET在开关电源会失效?有什么方法解决的吗?急!!!!

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1#
发表于 2020-5-12 11:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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经常碰到电源板上MOSFET失效,烦!!!!!大家都是怎么解决的呢?
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2#
发表于 2020-5-12 13:20 | 只看该作者
雪崩一般会从高压产生的大能量或瞬间结温上对MOS进行失效分析。

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3#
发表于 2020-5-12 13:48 | 只看该作者
晒电路图,晒元件规格。晒测量波形!

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4#
发表于 2020-5-12 14:56 | 只看该作者
先总结下失效的分类;
7 q4 a( {1 n8 e. Z- V1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
$ P* f$ u* C- s' B+ ]8 B* F2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。  p! b  L% F" H" ]7 U3 B
3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。7 D2 U- Q  O+ O0 }/ o9 I8 w
4:谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。2 a$ v9 u# L8 A# H$ g
5:静电失效:在秋冬季节,由于人体及设备静电而导致的器件失效。9 c% R( Q) J$ i3 v2 D$ f2 o( W
6:栅极电压失效:由于栅极遭受异常电压尖峰,而导致栅极栅氧层失效。

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5#
发表于 2020-5-12 18:35 | 只看该作者
要去深究一下,MOS的使用环境,参数是不是超标,散热是否达到要求
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