我正在研究一个项目是使用M24LR NFC设备作为目标温度传感mcu和CR95HF阅读器之间的中间通信设备。我们不需要“高带宽”吞吐量，只是偶尔需要通过M24LR“RF可见”eeprom存储器传输数据。我们想知道是否需要对数据包采用前向纠错，因为我们不确定EEPROM的可靠性。该数据表引用了1,000,000个周期的“最大写入耐久性循环耐久性”。这个数字是否意味着在预期发生单个故障之前，可以对eeprom块（4个字节）执行1,000,000个擦除/写入周期？我们需要一个FEC系统吗？我们应该采用“磨损均衡”技术来循环记忆而不是连续写入同一区域吗？任何关于此事的澄清将不胜感激。 9 X n: e0 n p( @
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发表于 2020-4-28 10:27
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