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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

该用户从未签到

17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了0 P+ {6 T6 h" \- w$ y* H6 {% |

该用户从未签到

18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

该用户从未签到

19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:
  B* b& ^7 o- g% F133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号3 @# @, X! M; c" P' R
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;. s0 {6 U4 K) H. a5 w
产生原因可能有:
4 w& V, F1 c8 X2 r( Q6 F; H, Q( X% }1 P
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个' ^+ ]6 a+ _) O
和负载大小,走线长度相关;  Q+ S9 ^+ t1 z8 W. i
$ A: p2 C! w! B) Y0 R8 e2 A5 A% L' d
dq_full             Full-Strength IO Driver
: J* P& k7 k' j9 i; P) m6 Zdq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
  v' J( h" H4 b% V$ C% H/ f7 f9 t' h1 m) U9 x( p* M+ Z
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号
' Q8 Y3 n, R" d$ h* s如果存在多负载也需要端接;& R* |: D* D! e
5 ~& h( G  F# y( l+ K! f; g
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;* l' B$ p& Z' C1 ?7 ~

& s* g9 m" ]2 R- g4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
5 q7 l2 M/ J8 Q( d  ?" r
* I1 m7 m) q! S  l/ q解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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