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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发供应链讨论 › 器件选型&认证 › SIC功率器件设计
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SIC功率器件设计

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xhz21906

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发表于 2020-1-10 13:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    发表于 2020-2-14 18:18 | 只看该作者
    关于SiC功率器件，共涉及到SiC SBD、SiC Mos两类；
    , V9 [& P) I# e4 X. ~1、SiC SBD，当前已经在一次电源（例如：650V /10A）、UPS（例如：1200V/40A）等有比较成熟的应用，业界成熟厂家有 Cree、IFX、ST，国产有 WeEn；
    6 ^5 a, `4 U5 E7 ^2、SiC Mos，在展会上有看到过RoHM、Panasonic、Renesas关于车载OBC、MCU基于SiC Mos的Demo模块，主要是900V的规格，但截至目前没有看到较为大批量的使用，除过价格的因素之外，SiC Mos的外延EPI的可获得性、生产制程良率、应用可靠性等都存在一定的挑战，继续关注或实验摸底。

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