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介绍一下电荷耦合器件(CCD)的基本结构和工作原理

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发表于 2019-11-15 11:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1 t/ @) z8 Y( u
一、CCD概念

/ O* i7 U$ e, |6 k7 @CCD 是指电荷耦合器件,是一种用电荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测元件,具有自扫描、感受波谱范围宽、畸变小、体积小、重量轻、系统噪声低、功耗小、寿命长、可靠性高等—系列优点,并可做成集成度非常高的组合件。电荷耦合器件(CCD)是20世纪70年代初发展起来的一种新型半导体器件。. r2 \8 h% P& K4 W) ?
- N; f7 Z8 O# F9 H& Y3 _- L

, l8 J0 d% d5 k9 f& _; C/ ^; c二、CCD基本结构和工作原理

  n( y! u  O. y9 H8 p9 |  k, F' _1 M- S; H7 }4 {
2.1 CCD基本结构

, {' q( O  U' ~; ?1 l8 Y$ L
3 q- S. E4 _, a( g6 r8 k! FCCD内部结构包括光电变换器件,转移栅,电荷移位寄存器阵列,检测电路,信号处理电路和驱动电路等。(如图1所示)' \; ?5 S  w2 ~+ ~  _( ]6 n: y

/ u4 S3 G) j4 J5 j" x

3 x3 J& [. r. V, f* Z9 c: ]. K
图1 CCD结构
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" B8 q+ z& y! X
先验知识:

6 w% }! x: T' M
3 z) X2 h* T+ w9 q
  • 阵列:多个功能单元,紧密排列在一起。各自执行各自的功能,互不干扰。排成一条线的是线阵,排列成一个面的是面阵。
  • 光电变换阵列以半导体为材料,常见的半导体材料有硅、锗、硒和化合物等。
  • 首先任何元素中都是由原子构成,原子由原子核加外围电子构成;0 ?4 r, l* L, ?  v& U/ m5 s
    原子核的外围有能级(离散的),外围电子能在能级上运动;  {: T9 b1 i' g' G& R# ~; \$ h
    最外层的能级叫价带;越靠近原子核,能量越低;
    % B* _! W$ a& X: t9 Z1 U* x+ `电子位于能量低的能级比较稳定;价电子位于价带上,价电子能量高,价电子决定原子的性质;
    + D4 U: ^5 s  A在实际研究中,认为在价带外还有一个能级叫:导带;如果电子获得能量后,跃迁到导带上,则成为自由电子(不受原子核的控制);
    ! i5 `/ Y' v- N$ z2 J对于导体,价带与导带重合,所以价电子成为自由电子,不受原子核控制;对于绝缘体,导带与价带之间能极差(禁带宽度)很大,价电子不能成为自由电子,不能导电;半导体的禁带宽度在二者之间,能表现出光电特性。
  • 光电变换过程:在光电变换阵列中,光照在半导体上,以光的粒子性为研究对象,无数光子打在材料上,光子将自身的能量传递给价电子,价电子向导带跃迁,产生自由电子;
    ( P) v5 a# h" A# o: J3 R自由电子被正电子吸引,存储在绝缘体与半导体的交界面上。由于绝缘体的存在,保证光生自由电子不被正电源吸走;
  • 根据量子物理,一个光子仅能将能量传给一个价电子;
    + p* G& Z- m/ A9 h, K0 J以半导体为材料进行光电转换,可以定量检测光路;; \+ O6 k# ?4 n2 m+ `3 n) p
    电荷阵列与光电阵列结构相同,是一一对应的关系;
  • 假设光电变换已经完成;
    * l5 Y! q1 G4 O- ?9 o, \# [. ^2 l) L当转移栅有效,闭合,使对应单元连通;
    8 o( z* g; [- U6 P3 W3 n9 C在内部逻辑作用下,光生电子转移到对应的电荷阵列单元中(如图2);, h- B: O: d; G  w6 L) }9 D' Q
    进行移位并检测(电荷移位寄存器阵列);
    9 U( ^. n% C  @( }: c一个单元分为3个子单元,按顺序编号;
    & j- o7 ~: [2 ]; S9 b编号相同的连接在一起成为一路脉冲(如图3所示)6 d) k* U- A7 h" p0 m7 I8 A

: z( y& s5 b7 d
8 l, i) v8 F7 g! x
2 l( ]% ]. @6 Y, ]

2 o$ n2 C9 S- `0 {, T图2 光电变换阵列到电荷移位寄存器阵列
; N# Q- g5 {4 h5 ]0 z
$ C# A% P8 }  W5 V' J2 ~, E
% C: @% u% c! T9 G8 U
. p& i2 }4 W4 a8 ]; v  |9 R: K5 q
图3 电荷移位
- o. w  M6 }& ^& Z
& ]( k: Z  T0 U# j# b
  • 当光电变换完成,转移栅有效,初始时刻,φ1为高,φ2、φ3为低,1号子单元施加+5V,1号产生势阱,可以存电子,2、3号不能;光生电子转移到对应1号子单元中,t0时刻,φ2为高电平,2号子单元也产生势阱,可以存电子,1、两个势阱平分光生电子。t1时刻,φ1为低电平1号子单元势阱消失,1号中的电子转移到2号子单元中(这就是产生的移位效果);t2时刻,φ3为高电平,产生势阱所以2、3平分电荷,t3时刻φ2为低电平,2号子单元势阱消失,2中的电子转移到3号子单元中,电子再次移位(如图4);在时序匹配的脉冲作用下,产生电荷,依次向一个方向移位;由于阵列长度有限,总有一个时刻,光生电荷会移出阵列;电荷移入电荷检测电路(等效于一个电容),充入电容得到电压(电压与光子数成正比,得到光子的数量);转换出的电压能精确检测,模拟电压信号经过AD之后转换为数字信号,进入CPU处理,得到电子照片。
    6 M5 m1 b( I/ H4 O& C

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6 D" M3 G, F+ v
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/ e9 I% x  Y/ x* g" B! j- j- q图4 脉冲时序图0 R. \: J' o3 S) E3 R3 `9 K
7 v0 ^+ m8 N* h8 T  V& a8 @3 {

7 H! p3 K/ Q4 q
' u! v2 K7 c7 p7 M' I; A3 W
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