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LDMOS器件参数测试详解

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发表于 2018-9-18 09:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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LDMOS是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比,能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射射频信号,因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区,不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。
一、LDMOS器件电学特性在线测试
1、阈值电压测试
+ j' r% G& B/ ]0 \: z2、击穿电压测试1 d$ e: |8 |& {
3、输出特性测试
& @* v# b$ f& N0 W- Z" r" A3 C& o
二、LDMOS器件负载牵引阻抗参数测试
1、负载牵引测试系统的构成
9 X3 g& w8 S. _! _/ s2、TRL校准9 E2 x( E/ |2 ^6 W1 m& K
3、LDMOS器件阻抗参数测试
+ z  i% g4 o. M. m" K
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该用户从未签到

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发表于 2020-1-7 15:40 | 只看该作者
谢谢分享,学习一下
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