终于明白了，谢谢版主-查尔斯，
1--因为突波能通过电容，反映肯定更快了;（暫態阻抗很小，突波會全落在 10K 電阻上。
* b' h0 z: n  N* h# w) A5 x所以只要接近 4.1V 就會動作了        版主写的 ）
' N7 s0 v. e: A0 O( @+ F2-- 100K：10K =10：1分压，5V 经过分压是 0.45V（10：1） ，要到4.5V左右MOS才能真正截止，即    5*10V=50Vi突波 经分压后 才为4.5V，才能关闭，（前面还有个稳定二极管 ~~双重保护了）。
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终于明白了，谢谢版主-查尔斯，因为突波能通过电容，反映肯定更大了;还有100K：10K =10：1分压，5V 经过分压是 0.45V（10：1） ，要到4.5V左右MOS才能真正截止，即5*10V突波 经分压后 才为4.5V，

我觉得没有什么明显区别的，你可以找狗版主仿真下，你的电路有待优化，呵呵

请上图，

, j- c0 G- G( j+ m% E! L
设计不够好，NPN三极管应该放在R354的位置，导通后拉低P-CH MOSFET的Gate；
如果过压，NPN应该截止，MOSFET的Gate电压和S一样，这样就不通了。

0.1uf看起来好像是缓开启作用的，同时还会影响前面过压保护电路的关断响应。至于是电阻还是电容看实际情况。

liaotingkang 发表于 2014-1-14 17:34
能否帮忙仿真一下，大家，

仿真可以找 Super Go, 他仿真粉厲害的啦~~~~

能否帮忙仿真一下，大家，

也不太懂，问一下，能5.8V断掉吗？稳压管5.6V，还得有个管压降三极管才能导通，发生保护，最少也得6.2V吧？

小廖，换成0.1UF。

能解释一下他是怎么工作的吗？看不懂

我知道 0.1UF的电容为加速电容，加快MOS管 截止时间，