其实也有阻尼作用了

电阻太大开关速度慢了MOS发热会比较大

:D:D

Csec 发表于 2025-4-24 09:28
感谢大佬的回复，一般我也是看到电路没有这个电阻

看過！但不是這樣接的。
/ J7 t% r. M5 G
One disadvantage to this discrete implementation is the nonlinearity of the inrush current. Since the ramp rate is dependent on the RC delay on the gate, the switch starts to turn on slowly and exponentially increase until the FET becomes fully on. This nonlinear dv/dt of VOUT causes a nonlinear inrush current spike.
- i4 F& X7 B" M' R( C- i, d$ x+ D

+ d. s0 q3 x! _2 L% s4 E7 i

huo_xing 发表于 2025-4-23 11:20
: L( V7 v% A/ o* [电容是用来控制mos缓启动的。电阻可以不要。参考电源的滤波电容，去掉电阻后这个接法有什么问题？
还有 ...

感谢大佬的回复，一般我也是看到电路没有这个电阻

myiccdream 发表于 2025-4-23 09:32
如果不加，开机的时候那个9C25 是不是可以看短路。 那是不是相当于12V直接加MMBT3904的C端

% ^3 m) p, v* B% vMMBT3904 V_CE 還能撐到 40V，是 Willsemi WPM3401 V_GS 只能撐 ±12V 較危險。
$ w  L* r# Y9 G2 V
/ [2 y& |4 T! s! x
* K: s/ R! ~9 }' P0 n, H
+ @, L7 P8 b' H# h7 c% Y5 |: s

huo_xing 发表于 2025-4-23 11:20
电容是用来控制mos缓启动的。电阻可以不要。参考电源的滤波电容，去掉电阻后这个接法有什么问题？
还有 ...

; N- K* j& ?1 P, t. E我看错了。 你说的是对。电容和100K是缓启动电路。 这个电容 和 100K的参数 是要去看 MOS的SOA 区域的那个参数。
就是MOS 在瞬间的电流 不能超过 它的SOA 区域，不然会烧MOS。

* B0 G/ E: V- C' C& g
) ]& X! P1 {2 I  A

myiccdream 发表于 2025-4-23 09:32
# k2 S  D$ Z5 @0 @% I如果不加，开机的时候那个9C25 是不是可以看短路。 那是不是相当于12V直接加MMBT3904的C端

& L6 q) o# ?$ }电容是用来控制mos缓启动的。电阻可以不要。参考电源的滤波电容，去掉电阻后这个接法有什么问题？
; a) F, Q* v* l9 ^0 j0 |% j还有，我的习惯总认为100K太大，电流不够。虽然mos是压控器件，对电流没要求。
* C3 F0 C% }' O" w  S

如果不加，开机的时候那个9C25 是不是可以看短路。 那是不是相当于12V直接加MMBT3904的C端