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惠海HC3600G 5N03 30V5A DFN33 NMOS 30V 60V100V 200V大电流 高耐压

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发布时间: 2025-4-19 12:00

正文摘要:

一、器件结构与分类/ R* y! |- h& _1 { MOSFET作为现代半导体器件的核心元件,其结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底构成三级体系。根据导电沟道类型可分为两大类: * c$ v) o: t; [" V( b4 A1.    ...

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mnfvbnk 发表于 2025-4-21 14:20
静态功耗也是第一个重要的参数
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