再见海贼王 发表于 2025-1-10 09:40
2 N2 L$ u- y: G0 V1 {; e% i5 n电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

+ ]# F( {! ^! K$ ?4 q* A0 }我瞎猜的，不知道对不对，上次电源IC的来说放D极散热和EMI要权衡，GaN的H结构散热在S极就方便多的。狗门弄斧了

芯片手册肯定有应用电路，根据应用电路估计有突破口

电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。