你红框的参数不是高速的。是否高速看Cgs/Cgd，这个参数才是影响mos开关速度的，一般的mos都能没问题的。有问题的是设计和布线，比如在gate上对地并联一个100nF电容，什么高速信号都会给干没

经常听人说高速信号，高速MOS的概念第一次听人说，路过留痕。

是否是高速取决于你的使用场景，如果你的信号频率100K，那么100n的mos也算高速mos，但实际情况下100n的mos并不最快的那一类，在设计中，所有的高速低速都是对比得到的，并不是有一个明确的分界值

QWE4562009 发表于 2024-11-20 17:43
是否高速看Cgs/Cgd----那怎么根据这个的比值来判断是不是高速呢？  这个是电容量的比值？

# V0 i3 P* Z3 ~+ }; D不是比值。就是两个电容参数，直接与mos开通时间有关的。一般的mos这个参数都相差不大。

开关速度+栅极驱动的速度。综合起来一起看
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首先MOS的开关时间是一个确定其是否是一个高速MOS的一个重要参数，这个时间也和Crss,Coss,Ciss 相关。

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