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为什么PMOSFET _SI4435做开关12V可以,5V的驱动能力就不行

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发布时间: 2012-8-2 20:52

正文摘要:

之前一直用来做12V 的开关从来没有问题,但是现在用来做5V的开关,当电流>1A时,这个管子的压降会很高(约1.3V)。麻烦各位高手帮我看看,是什么问题?3 ?5 p3 R/ U' O7 b ' u# e  H: O% r3 x

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timerc 发表于 2012-10-8 09:41
PMOS不是负压驱动么
kingsr 发表于 2012-10-4 12:47
很明显,门极驱动电压不够高,RDS内阻高,电流一大,压降大,发热.把门极提高至少到10V
xin_515 发表于 2012-9-29 17:46
当电压接近开启电压时,管子没有完全导通,导致压差较大。
xiaodao77 发表于 2012-9-29 17:09
下面那个MOS没必要用的 一个三极管就OK了% D1 I' A; g! b0 c7 |
killerljj 发表于 2012-9-10 22:02
要减小inrush 电流,把r16换成100k,把R20换成0.1uF电容试试。
xin_515 发表于 2012-9-10 16:55
同样的电路若是12V就可以的话,只能说明开关VGS之间的压差太小,没有使管子完全导通,建议换一个其他型号的管子试试。
klee24 发表于 2012-9-10 14:39
3,4脚的压差不够
klee24 发表于 2012-9-10 14:36
3脚和4脚之间的电压低于3V的话输出的电流时不足以驱动负载的,亲
qsliu 发表于 2012-9-3 00:07
直接短路Q1的 S 、D引脚看是否正常,如正常,说明为Q1驱动的问题
iuven 发表于 2012-8-29 13:22
后来发现,此电路 MOSFET的后级在电压上升的过程中会出现一个台阶。估计和Mosfet有关系
iuven 发表于 2012-8-24 21:21
34052762 发表于 2012-8-20 22:20 7 E3 C+ a) C# O) g8 _
同意,我也没见过用MOS管控制的,我见到的开关都是三极管控制MOS管的。

0 f: Y. s* M" h. V" `我尝试更换成BC817试了一下,问题还是存在,最后决定弃用此方案。问题应该是在整个电路的时序上,导致控制信号出现问题,而并非在此部分的电路。最近实在太忙,所以没有时间去认真分析此电路。等以后有时间再仔细分析一下。
leavic 发表于 2012-8-24 16:47
Q1没有完全导通。
34052762 发表于 2012-8-20 22:20
0601 发表于 2012-8-4 15:23
3 G) G8 j5 S& e* k2 \- c下面的mos管最好换个三极管驱动,注意基极那两个电阻的大小。另外在三极管的集电极和上面的mos管之间再串一 ...
! R7 M0 Y3 \+ C( Q/ @5 Z& M
同意,我也没见过用MOS管控制的,我见到的开关都是三极管控制MOS管的。
willyeing 发表于 2012-8-13 10:36
我在设计时如果5V切换,绝对不会用4.5的管子,一定会留有相当的余量,如果我选肯定选2.5V以下的管子。
willyeing 发表于 2012-8-13 10:31
iuven 发表于 2012-8-13 09:09 / P# y& l! b' h
这位仁兄分析的很正确,我个人认为12V的时候也会存在电压的下来,只是此管子的导通压降为4.5V,并不能导致 ...
6 m. S3 y7 ^0 ]
建议换2.5V的VGS,不要用4.5,已经在临界,很危险的。
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