直接赋S参数就行么，不需要设置XNET么

ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...

; M1 h. g  F7 t你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。
谢谢
' @# L$ r$ x5 m! o

mggimg 发表于 2023-12-6 17:22
" p1 g. C4 p& w8 X4 V你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

8 [% L5 j, t& k. \& c) A- J对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！

/ G, n9 G2 d' W. v7 p* x
, n5 H' `8 r7 J7 M( _: b$ I给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group

mggimg 发表于 2023-12-6 17:15
7 T( m9 ^* t& a  e说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

/ M8 Q' L) k/ I+ J% M/ |! o不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。
而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
; P6 z  W; h- K3 m" {/ m2 j从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响
0 c' \( b0 _, U: U$ @6 u

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
) K, C& K* C8 M8 I$ q$ }! [另外我在siwave软 ...

你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
# @0 w; @% l% l4 V/ L2 \& N' Y$ A无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
5 D4 |% N4 I% `% ~( S8 I4 H8 i/ H另外我在siwave软 ...

说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响
! H- z, P) H, Q5 A

/ Q1 o9 V2 s. `: [

mggimg 发表于 2023-12-6 11:31
+ ^* F0 }: n7 W5 ?/ v& p你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
5 V& @) U5 s7 H* h8 C8 ?# M/ k; @: Z9 U, [因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。

你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

Good question~

hhh虎次郎 发表于 2023-12-5 10:54
这么大的电感，不需要考虑进去；

你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
. g1 M* J" I# U7 H$ [% x, \9 W4 H重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢
8 T$ q8 E3 W2 U8 S8 w) X

一起学习一起学习一起学习

这么大的电感，不需要考虑进去；

蹲个楼，共同学习一下。