直接赋S参数就行么，不需要设置XNET么
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ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...

$ R) Z5 f- `8 m2 V' O你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。
谢谢
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mggimg 发表于 2023-12-6 17:22
你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

( T& b+ Q4 m9 d) W; A. H对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！

给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group

mggimg 发表于 2023-12-6 17:15
5 W, F% f; a: o& `1 H: {: N说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。
5 [! G+ ?+ @) M而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响
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yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
4 p0 L9 G* E  O' z; w+ J; a无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
- ?1 d4 B4 o" Q5 }% A另外我在siwave软 ...

/ c, m% O1 A; F, c; w( h  H  A你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别
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yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
% {  L- `- W6 ~: X! j无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
  A) J( E* N/ Q5 g* {另外我在siwave软 ...

说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响
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mggimg 发表于 2023-12-6 11:31
" L  b( r$ }; m) _. i! ^! s你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

4 t$ X' F* Q' l- {无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。

你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

Good question~

hhh虎次郎 发表于 2023-12-5 10:54
这么大的电感，不需要考虑进去；

; M* d7 K" ~* r( r: S, g. f你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢
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一起学习一起学习一起学习

这么大的电感，不需要考虑进去；

蹲个楼，共同学习一下。