询问增大MOS晶体管增益的方法

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发布时间: 2012-4-8 11:10

对下边这个MOS进行增益测试，在工作频率的增益总是很小，一直处在-30dB以下，请问怎么改进这个管子的增益呢？有什么样的电路结构，因为工作在比较高的2.4G频段，MOS管是180nm工艺的。

回复

qingtian52014 发表于 2012-5-8 22:14

RS与RD一个阻值比貌似可以调放大倍数。不记得了，还请高人指点下

sewenli 发表于 2012-5-8 19:03

qiangqssong 发表于 2012-5-8 17:07 ! l# |7 M4 M6 T$ H. n
高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下，不能随便调整！！！

单单用一个管子做功率放大器时候得到的功率增益总不能提上去

sewenli 发表于 2012-5-8 19:02

lxizj 发表于 2012-5-8 11:16 7 b% [6 Y( e! c' I- b
恕我冒昧问下，LZ你确定做的是MOS吗？mos是电压控制，没有放大，哪来的增益？我也没在任何一份spec里看到过 ...

谢谢是跨导太小了

qiangqssong 发表于 2012-5-8 17:07

高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下，不能随便调整！！！

lxizj 发表于 2012-5-8 11:16

恕我冒昧问下，LZ你确定做的是MOS吗？mos是电压控制，没有放大，哪来的增益？我也没在任何一份spec里看到过有这个参数啊

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