解决了吗？我找一份原理图给你参考一下

MOS管的Vds电压选低了，原厂推荐的都是150V  你这个100V有风险  试着用150V的看看

T2的1、2脚是不是接错了？

MOS烧了，多半多是功耗大，重新梳理一下线路，推导一下公式.

建议检查一下器件有无用错？管脚是否均在正确位置。

MOS烧了，多数是超了功耗，建议根据电路工作状况计算下，看有没有新的发现。

击穿分为两种情况，一种是过压击穿，一种是过流击穿，首先你需要确认是过压导致的击穿还是过流导致的击穿，确定方法如下：
1.使用示波器测量Q2 D引脚在上电瞬间的电压是否超过其耐压100V
2.如果超过了100V耐压，则RDC参数或者布局不合理，没有很好的实现电压钳位，需要调整RDC参数
) M( W3 N" j* P; U& H% L. X; o3.如果没有超过100V耐压，则使用示波器测量Q2 流经DS的电流，看上电瞬间是否过流，如果过流，大概率是MOS开通过慢，需调整MOS开关速度

按标准的线路试试。你的VDD多少V，MOS才选的2A啊

设计电感L1的目的是什么？可能是它引起的。或者是VDD的电压过高了。