可以试试把DR111阻值调小，比如4.7k试试有无改善，整体来看是MOS管基极充电速度太慢。

在我看来你这是对的，mos是charge驱动的，而不是voltage驱动的，你的gate 上必须充够了charge才能打开inversion channel。电压自然是这个形态的，而且如果你的频率下降的话，你还会看到有个platuea，那是Cgd的charge，
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& [: k% Q1 \# V& ]对于datasheet的数据，你会相应看到threshold voltage，那是Cgs的charge，接着是 Cgd，然后是最高的transconductance，那才是真正意义上的threshold voltage，然后就是fully charge, 这时候虽然rdson对应的on state loss下降, 但也对应了Ciss的 switching loss. 升高。这就要按照你的应用，做出trade off。

$ Q6 k+ |7 }& L0 ^mos开关的 gate driver 其实需要按照你的mosfet 设计，对应不同的特性，做出不同的调整。通常专门做gate charge的公司，比如瑞士的concept就是和mos的供货商合作设计的，需要懂得mos的器件物理，而不是看着soa摸河设计的。

DR111  改为1K 再看看

用图腾柱电路进行驱动，注意DR105的功率选取，把DR111改成100R内也能看到效果

MOS管GS存在等效电容，DR111取值大了，上升沿就成这样了，你将DR111换成PNP三极管可能会好点

电流变化太慢了

在风扇的两端并联了一个220uf的大电容，消除风扇的感性到mos管d极，这样就可以接近直流了，
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试试在12V和GND之间并联一个1uF的电容看看

因为风扇是感性的，电流不是一下子升上去的，所以可以看到有个明显的上升过程