在GS再接一个0.1uF电容，GD接一个RC慢慢调整阻容值

C1太大，上电瞬间会有非常大的冲击电流，用电流钳和示波器测一下缓启动输出端电压和电源输出电流变化，参照SOA表看下是不是功率耗散导致mos烧毁了

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这个电路做过流保护是错误的。由于C1很大，在上电瞬间，C1视为短路，而且初始条件是Q1的VGS=12V, Q1是导通的，所以Q1的功耗很大。

可以考虑Q1选用开启电压高一点的MOS

是不是R3电阻太大了

Q3在达到饱和前会工作于放大状态，导致Q1不是完全工作于开关状态，一部分时间工作于变阻状态，内阻较大，发热大。 因此要保证Q1处于开关状态，R3 要减小避免Q3工作，R2太大了，应该减小。要做大准确限流还是要比较器和基准电路实现

这个电路就是限流的吧

你要的保护是限流保护还是关断保护要说清楚。如果是关断保护，还缺点电路锁存保护状态。