| 我司有EMC实验室(有2个电波暗室)和10位经验丰富的整改工程师,有遇到静电、传导(CE)、辐射(RE)、EFT、浪涌问题整改不过,我司可以提供免费整改服务。有需要可以联系我,蔡先生,电话15915462961(可加微信)。 |
gang_0187 发表于 2022-9-19 17:33 即使不用探头探测,电感附近也一定是干扰的源头,因为此处电流不停的变化。此处两个思路可解决辐射:1、缩小环路,特别是dcdc转换处的环路2、手柄处是辐射天线,想办法从此处下手,抑制或降低辐射的幅度。比如增加磁环,当然要看你产品的空间。还有其他滤波手段可加。 |
doleph 发表于 2022-9-16 15:49# i& k4 A$ @2 K, h2 Y) s5 s FB1从原理上的位置不对,电感出来先经过大电容再经过小电容,再经过FB隔离到下一级。 |
| FB1接线不对吧,应该是和负载接,不是先接了然后再接负载。 |
| 使用近场探头探测过,干扰源在DCDC输出电感位置。 |
| 所以你是怎么确认是DC-DC出来的辐射? |
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本帖最后由 xiaoyanz 于 2022-9-16 09:11 编辑 建议芯片可以逆时针旋转180度,看电容c3距离u2的输入引脚的距离,可考虑在dcdc输入端再增加一个C3电容。8 l( y" B5 Y) o0 ~ dcdc的输入输出回路不是很好,图示方向讲c59、11旋转180度,输出部分将c7-c73靠近L1下端或左侧放置,使输入输出地贯通,减小回路,以降低辐射。9 N8 i! a! C8 K |
| 电容C3之前的回路要尽可能的缩小,图示PCB横向拓展的太长。 |
| 电感下面的地去掉,改从其他地方走。自举电容不要太靠近地。layout原则上,输入的滤波电容地、芯片地、输出滤波电容地要在同层连接,尽量不要靠过孔连接。 |
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| 由于空间限制,C3不能摆放到芯片的VIN引脚,另外R1已经改成300K,把开关频率从608K降至395K左右。 |
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