用mos时让Vgs有一定斜率即可。

5 {5 a9 L* @" j3 r& z" l学习一下！！

学习一下，这里面水很深啊
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来看看大家都是怎么说的

加电容 ，缓开启。
但是有个潜在风险，这个vgs容易大于最高的限值±20V，造成MOS烧坏。
要用MOS最好是GS加个稳压管

唯笑1015 发表于 2020-10-16 10:49
' S$ T, R  _$ D* f1 S  r用MOS时R47电阻改为100Ω，

如果用MOS管要把R47改成100欧，那么就说明MOS管的结电容比较大，跟R47形成了一个RC充电回路造成冲击，要么换MOS管型号，选结电容小的，要不就是减小电阻提高驱动电压都是可以的。但建议还是选三极管吧，MOS管容易被静电击穿，三极管相对来说稳定点。

topwon 发表于 2020-10-14 15:35
2 @7 D2 K0 Q0 o: L/ f可能是MOS管的导通内阻小，所以启动电流就比较大了吧。可以像5楼建议的那样，比如给R39并联一个电容，让Vgs ...

是的，是控制电源的
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topwon 发表于 2020-10-14 15:35
; b( ~& u2 J# ~( K6 K. v+ U8 d可能是MOS管的导通内阻小，所以启动电流就比较大了吧。可以像5楼建议的那样，比如给R39并联一个电容，让Vgs ...

% Y/ \' Z& x# P" k9 A9 p3 o) v试下您说的方法，谢谢指导
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wudaoz 发表于 2020-10-14 15:41
( p8 y& M$ [7 `' A感觉mos管不适合在这个电路，EN电压多少V？一般mos的Vgs都比较大，控制电压太低的话会导致导通角太小。

8 x" _5 B* s* ?9 x0 \2 `) U1 y2 ~用MOS的时候R47改为了100，最终也是改为三极管生产了

感觉mos管不适合在这个电路，EN电压多少V？一般mos的Vgs都比较大，控制电压太低的话会导致导通角太小。

可能是MOS管的导通内阻小，所以启动电流就比较大了吧。可以像5楼建议的那样，比如给R39并联一个电容，让Vgs缓慢上升，Ron的阻值就会缓慢下降。不利之处就是开关速度有影响，MOS管的开关损耗增大。不过你这个电路看起来是做电源控制用的，应该问题不大吧。

不明白哦亲兄弟

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你说的冲击电流怎么体现的？MOS电路怎样的？