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高速信号线的AC耦合电容布线问题

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1#
发表于 2020-10-7 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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在USB3.0或SATA III等高速差分接口设备,需要使用AC耦合电容,但有的资料说AC电容下面需要挖空,可以减小寄生电容,但这样阻抗不就不连续了吗?图中的做法对吗?对此比较疑惑,请大家指点。
: |% G$ _9 _  R' w& e0 }/ N5 X
' V9 [3 \' w  [) R0 C. v& S

360截图162204197710188.png (23.76 KB, 下载次数: 2)

AC耦合电容布线

AC耦合电容布线

该用户从未签到

9#
 楼主| 发表于 2020-10-17 14:42 | 只看该作者
刘平 发表于 2020-10-12 11:03
- u+ D; J' v4 [  r焊盘当做走线,焊盘那很宽,相当于走线变宽,这样阻抗变小了,现在挖铜让它隔层参考,参考距离变大,保持阻 ...
# X' ~6 g  I+ N0 V; Y
嗯嗯,明白啦,谢谢回答/ Q4 u+ U7 n, L$ Y9 D0 m$ D5 P
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-7 15:35
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    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2020-10-12 11:03 | 只看该作者
    焊盘当做走线,焊盘那很宽,相当于走线变宽,这样阻抗变小了,现在挖铜让它隔层参考,参考距离变大,保持阻抗。

    点评

    嗯嗯,明白啦,谢谢回答  详情 回复 发表于 2020-10-17 14:42
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    2022-10-30 15:15
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    [LV.8]以坛为家I

    7#
    发表于 2020-10-12 08:02 | 只看该作者
    学习学习

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2020-10-7 22:02 | 只看该作者
    bizer178 发表于 2020-10-07 16:08:245 A" Y: b/ T, F
    挖一层是要参考第三层或是更下层的参考平面
    6 l4 \( V+ u) e" m- h因为Trace变大(电容 PAD)必须拉大距离,让阻抗不要变化这么大
    ! n9 R1 f/ r7 T最好还是用模拟软体跑过一次
    , G, x- b9 i6 `, u! i4 V% T6 v5 K0 S' W9 P3 s  U
    参考
    ( @; S8 e+ ]6 K0 {, }( @; vhttp://www.edadoc.com/cn/technicalarticle/Show.aspx?id=452
    / a$ f" W8 h6 |8 S: ?http://murata.eetrend.com/article/2018-05/1001628.html

    + S- N9 ?& r7 Y" W1 U
    % t3 j" E; O1 C% k6 P& e5 b嗯,看了参考文章,明白了很多,谢谢您2 S& h6 I( D) T, N, l) u

    “来自电巢APP”

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    5#
     楼主| 发表于 2020-10-7 21:48 | 只看该作者
    bizer178 发表于 2020-10-07 16:08:245 U0 g. u! M. C# `
    挖一层是要参考第三层或是更下层的参考平面
    & h& y- l: n: c0 @: P因为Trace变大(电容 PAD)必须拉大距离,让阻抗不要变化这么大6 |: U% Q9 y, D9 b" V  l
    最好还是用模拟软体跑过一次. h& L& F& z9 A" p7 f, p
    0 T3 B4 a5 M: V8 z
    参考
    ! h" ?6 j2 {" |8 Hhttp://www.edadoc.com/cn/technicalarticle/Show.aspx?id=452
    % O, F  B  O$ h/ q9 Qhttp://murata.eetrend.com/article/2018-05/1001628.html
    , N0 h5 f: H; l& {- O. g

    4 o6 M1 a5 t; C4 c可是我好像整体挖空了,这样就会有问题了吧?
    , r) _+ k$ o, t; z

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2020-10-7 19:30 | 只看该作者
    底下挖空是为了阻抗匹配,不挖空的话会降得比较多
  • TA的每日心情
    开心
    2023-3-20 15:00
  • 签到天数: 514 天

    [LV.9]以坛为家II

    3#
    发表于 2020-10-7 16:08 | 只看该作者
    挖一层是要参考第三层或是更下层的参考平面5 E6 }- n" O7 Z$ ?  a+ j  b* Y3 ]+ q
    因为Trace变大(电容 PAD)必须拉大距离,让阻抗不要变化这么大, n. P2 i+ F$ `$ F' c
    最好还是用模拟软体跑过一次% H- E( }, A0 O  ?2 w6 J5 f& m# f
    6 A: w* W- o9 `( s, b, }: h
    参考
    % K0 K  ^& J1 d* x  k* ?& y! ahttp://www.edadoc.com/cn/technicalarticle/Show.aspx?id=452
    5 E) g% Y8 K1 n6 ohttp://murata.eetrend.com/article/2018-05/1001628.html

    该用户从未签到

    2#
     楼主| 发表于 2020-10-7 11:50 | 只看该作者
    这种处理方式是根据文档AN70707来进行操作的,但我比较疑惑。
    * x9 W- S# h* x( L, \4 Z

    360截图1667102310413284.png (32.26 KB, 下载次数: 7)

    360截图1667102310413284.png

    001-88725_AN70707_EZ-USB_FX3_FX3S_Hardware_Design_Guidelines_and_Schematic_Check.pdf

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