wanghairui168 发表于 2020-9-28 17:171 G, U& N% ~ F* f1 a0 F+ E 用45度那个电路做个例子仿真,加与不加正反馈,控制特性有明显区别。仿真电路中,热敏电阻用一个时变电阻取代,专门考查它在2550欧至2850欧之间变化时电路输出电压随阻值的变化。可以看出,加了正反馈电阻,控制特性明显陡峭很多,控制徊差在170欧左右,相当于大约1.7度的温度差,不加正反馈电阻,控制徊差只有不到25欧,相当于大约0.25度的温度差。
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| 多了,其实只有0度和45度关断,这两个怎么在组成一个电路; |
| 大家怎么看待这种WiFi信号增强器?哪位大神讲解一下这个电路原理图求解装了16.6再装17.2卡在configuring system请问,晶振下方走自身的信号线,会有问题吗?ADI出版的新概念晶体管大家可以学习一下,挺好的两本书电子工程师面试题,看看自己能打多少分?硬件设计必备——华为模拟电路设计(全)数字示波器使用FFT进行频谱分析的教学Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT芯片型号求助!温控电路(求解) |
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。。版主,没有逻辑。。查了很多都是运放的,vout=vcc*(1+R1/R45)。。。6 d* ~$ x( H5 I 试错的机率都没有 |
| 这头像,看着有点吓人 |
wanghairui168 发表于 2020-9-28 00:52& a) [) J2 r0 }. H1 Y3 p' o 正反馈的作用是为了得到如图红线所示的输入输出特性。设计针对模拟量的通-断控制时,通常希望有一个反向死区,叫做徊差,图中46-44=2度就是徊差。这里44、46 只是个比方,可以自己根据需要另行设计。通常不希望电路工作在橙色阴影区域、半通不断的会有许多麻烦。图中这个特性的意思是,当温度达到46度时MOSFET切断,一旦切断,只有当温度降低到44度才会再导通,一旦导通.....你就知道了吧? 如果没有R45,输入-输出特性会是一条通过坐标原点的斜直线,斜贯橙色阴影区。有了R45,输出电压Vout以正反馈方式参与决定三极管Q5的基极偏置电流,输入-输出特性就不再是一条线,而会变得趋近附图的特性。当然不会真的那么理想化。 对于非电子专业,可能最可行的办法是利用仿真软件设计,用试错法发现规律,在最短的时间内彻底理解电路工作原理。 |
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| 都是些高手,学习了。 |
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两个三极管叠放、共用一个MOSFET,就可实现双温限控制。见图。" ]0 \$ f8 U( { 不过,你这个温控判断电路不具有徊差特性,在临界温度附近动作会很不稳定, MOSFET会进入高功耗线性工作状态,可能烧毁。建议增加两个正反馈电阻, R0,R45,建立徊差翻转特性。具体阻值自己计算或仿真,大概100K以上,几百K以内。 |
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图太多了,怎么删除? |
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