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温控电路(求解)

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发布时间: 2020-9-26 16:53

正文摘要:

& z$ ~& P: o0 r" q 图为两个温控电路,现在要合在一起,请问怎么接?我实在没思路了。。。 + q9 O3 g* q( d. O" u8 G2 h( M8 Z

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canatto 发表于 2020-9-30 08:14
wanghairui168 发表于 2020-9-28 17:171 G, U& N% ~  F* f1 a0 F+ E
正反馈主要调哪些参数?Ib电流?还是?

. L1 f) Q! S, ^  E! W: c用45度那个电路做个例子仿真,加与不加正反馈,控制特性有明显区别。仿真电路中,热敏电阻用一个时变电阻取代,专门考查它在2550欧至2850欧之间变化时电路输出电压随阻值的变化。可以看出,加了正反馈电阻,控制特性明显陡峭很多,控制徊差在170欧左右,相当于大约1.7度的温度差,不加正反馈电阻,控制徊差只有不到25欧,相当于大约0.25度的温度差。
7 \' ~& n+ E7 k  v 2 ?# \& w; Q) N1 f# `! f

+ u* p! G8 O$ _5 `, Q. J6 R% _& v0 l# K5 M/ H! I. n  u- _, N
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wanghairui168 发表于 2020-9-26 16:53
多了,其实只有0度和45度关断,这两个怎么在组成一个电路;
liszt94 发表于 2020-9-29 11:02
大家怎么看待这种WiFi信号增强器?哪位大神讲解一下这个电路原理图求解装了16.6再装17.2卡在configuring system请问,晶振下方走自身的信号线,会有问题吗?ADI出版的新概念晶体管大家可以学习一下,挺好的两本书电子工程师面试题,看看自己能打多少分?硬件设计必备——华为模拟电路设计(全)数字示波器使用FFT进行频谱分析的教学​Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT芯片型号求助!温控电路(求解)
wanghairui168 发表于 2020-9-28 17:17
正反馈主要调哪些参数?Ib电流?还是?

点评

用45度那个电路做个例子仿真,加与不加正反馈,控制特性有明显区别。仿真电路中,热敏电阻用一个时变电阻取代,专门考查它在2550欧至2850欧之间变化时电路输出电压随阻值的变化。可以看出,加了正反馈电阻,控制特性  详情 回复 发表于 2020-9-30 08:14
wanghairui168 发表于 2020-9-28 13:42
。。版主,没有逻辑。。查了很多都是运放的,vout=vcc*(1+R1/R45)。。。6 d* ~$ x( H5 I
试错的机率都没有
baihua2010 发表于 2020-9-28 09:02
这头像,看着有点吓人
canatto 发表于 2020-9-28 03:15
wanghairui168 发表于 2020-9-28 00:52& a) [) J2 r0 }. H1 Y3 p' o
非常感谢版主,EDA有你更美好!
# Y* q% k1 W8 `
/ P3 a0 o! P5 p  E' q* J请问您一下,正反馈的目的是取值给后极做为参考,这个计算的方式是 ...

8 Y) W4 U$ l% X! B. c! p正反馈的作用是为了得到如图红线所示的输入输出特性。设计针对模拟量的通-断控制时,通常希望有一个反向死区,叫做徊差,图中46-44=2度就是徊差。这里44、46 只是个比方,可以自己根据需要另行设计。通常不希望电路工作在橙色阴影区域、半通不断的会有许多麻烦。图中这个特性的意思是,当温度达到46度时MOSFET切断,一旦切断,只有当温度降低到44度才会再导通,一旦导通.....你就知道了吧?
& E  ]( |, \4 f! x" O2 _9 V如果没有R45,输入-输出特性会是一条通过坐标原点的斜直线,斜贯橙色阴影区。有了R45,输出电压Vout以正反馈方式参与决定三极管Q5的基极偏置电流,输入-输出特性就不再是一条线,而会变得趋近附图的特性。当然不会真的那么理想化。
2 D8 z: N% F+ U1 m# E  S: h8 S4 ^对于非电子专业,可能最可行的办法是利用仿真软件设计,用试错法发现规律,在最短的时间内彻底理解电路工作原理。
, `, I! @! C2 i+ S+ v: w- V7 \: r

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hesteresis_IO.png
布衣 发表于 2020-9-27 08:36
都是些高手,学习了。
canatto 发表于 2020-9-27 02:13
两个三极管叠放、共用一个MOSFET,就可实现双温限控制。见图。" ]0 \$ f8 U( {

+ V) m  Z4 _. X- H7 x- J. T# z不过,你这个温控判断电路不具有徊差特性,在临界温度附近动作会很不稳定, MOSFET会进入高功耗线性工作状态,可能烧毁。建议增加两个正反馈电阻, R0,R45,建立徊差翻转特性。具体阻值自己计算或仿真,大概100K以上,几百K以内。
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点评

[attachimg]289899[/attachimg] 非常感谢版主,EDA有你更美好! 请问您一下,正反馈的目的是取值给后极做为参考,这个计算的方式是?或者逻辑是?小弟不是电子专业的,正在努力学习中。  详情 回复 发表于 2020-9-28 00:52
wanghairui168 发表于 2020-9-26 17:26
图太多了,怎么删除?
6 U) s% o' B1 M
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