0 o% j6 [6 s0 X8 r  x2 P; M泰克采用8HP SiGe技术实现30+ GHz示波器设计目标
初步集成测试显示IBM 8HP 硅锗技术满足全球最严苛示波器要求
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% `- ?+ ]* F, J/ t  Z中国 北京，2011年5月19日– 全球示波器市场的领导厂商---泰克公司日前宣布，经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的泰克新型示波器的各项技术指标优于规定要求，实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达30 GHz以上，同时减小过去芯片组中存在的噪声。

新型示波器平台将满足电子设计人员对更准确检定超过10 Gb/s高速串行数据特性的需求，同时增强了100GbE光调制分析能力，这需要准确捕获复杂信号的每个比特位。
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; x- X% y( j% [泰克公司示波器业务总经理Roy Siegel 表示，“这是我们首款集成8HP技术的产品，并证明新一代SiGe具有满足业内最高要求示波器应用的优异性能。今年，我们将推出一系列新型高性能示波器，噪声达到最低水平并具有业内领先的多通道信号采集性能。IBM的SiGe技术长期以来满足我们客户对性能和可靠性的要求，实验室验证结果显示，新一代技术将继续满足未来需求。”
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IBM 8HP技术是一种130纳米 (nm) SiGe双极型互补金属氧化物半导体工艺，其性能是前代工艺技术的2倍。SiGe技术采用50年来芯片业中可靠性很高的成熟制造工艺，其性能水平与磷化铟 (InP) 和砷化镓 (GaAs) 等材料技术相当。与其他技术不同，SiGe BiCMOS可在与标准CMOS相同的裸片上集成高速双极晶体管，从而开发出具有超高性能和高集成度的电路系统。凭借这种组合优势，泰克公司十年来不断推出特性丰富的高速数据采集系统。
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/ f5 ^0 m8 a' D, t2 E% T4 \IBM特殊工艺产品部总监Regina Darmoni表示，“泰克实验室验证充分表明，IBM 8HP SiGe技术继续提供了高端仪器所需的速度、准确度和集成能力。”
据说，新产品将于9月份推出，型号DPO70000D。
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泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技术
4 V- ]: S$ X* o& IIBM 8HP硅锗技术使未来泰克示波器的速度性能提升超过30 GHz
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中国北京，2010 年8 月10 日--- 全球示波器市场的领导厂商--- 泰克公司日前宣布，其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP 硅锗 (SiGe) 技术，再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130 纳米 （nm ）硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) foundry 工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能，能帮助推出实时带宽超过30 GHz 的示波器产品。

“泰克公司与IBM 拥有长期的合作创新历史，在我们的产品中采用SiGe 技术使我们推出了一系列世界级的获奖仪器，并帮助解决了一些最迫切的客户挑战”，泰克公司高性能示波器总经理Brian Reich 指出，“出色的SiGe 技术性能，加上IBM 稳健可靠的SiGe 制造实力，这将使我们的下一代示波器采集性能超过30 GHz ，从而满足计算/ 通信产业不断发展的客户需求。”
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1998 年，IBM 成为首个面向主流制造领域推出硅锗IC 技术的公司。2000 年，泰克公司宣布推出TDS7000 系列实时示波器，这也是当时速度最快的商用示波器，采用的正是IBM 的旗舰SiGe 5HP 技术。目前，泰克公司继续采用IBM 业界领先的IC 技术，也就是其第四代SiGe 8HP 技术。

SiGe 半导体采用50 年历史芯片产业中可靠性较高的成熟制造工艺，其性能水平可与磷化铟(InP) 和砷化镓 (GaAs) 等稀有材料技术相媲美。与其他技术不同的是，SiGe BiCMOS 能在与标准CMOS 相同的裸片上集成高速双极晶体管，从而打造出具有超高性能与高集成度的电路系统。正是这种组合优势使得泰克公司10 年来不断推出特性丰富的高速数据采集系统。
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. L5 n, ~$ q) ?3 E- \“近15 年来，泰克公司同我们的工程师团队密切合作，全面发挥SiGe 技术的潜力”，IBM 创新副总裁Bernie Meyerson 指出，“SiGe 技术能继续提供新一代高性能测试仪器所需的性能。鉴于SiGe 技术的优势，该技术显然仍是各种高速测试应用的首选半导体技术。”

8 e4 r0 v, M- S' k3 g. f! p+ N保护投资
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* L4 k: @& h5 B: I3 E过去10 年来，泰克公司一直成功预见领先串行标准所需的带宽支持需求，并积极参与IEEE 协会、PCI-SIG 、SATA-IO 和USDB-IF 等标准化机构的工作。泰克公司高性能示波器投资保护计划 （Tektronix Performance Oscilloscope Investment Protection Program ） 为客户提 供了高性价比移植路径，可根据发展需求升级到更高性能的示波器。客户如感兴趣，请垂询泰克公司客户经理探讨未来移植计划。
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9 M# z+ x$ B4 \# _供货情况
. `* _9 S3 @) I; E; Q采用8HP SiGe 技术的首批泰克公司产品预计将于2011 年推出。

7 u) Y2 G0 z! r$ q) `# L6 v“带宽45GHz时的采样率可达到120GS/s,带宽25到30 GHz时采样率为40GS/s，带宽20GHz时所有4通道采样率达到40GH/s。”
( d: L- Z9 _( G3 V由于这个带宽范围，目前只有一个竞争对手Agilent，90000X从16～32GHz时的采样率是4ch时40GS/s,一样处于欠采样，2ch时采样率80GS/s，但做法跟LeCroy不一样，LeCroy是2通道ADC Interleaving成80GS/s，3通道Interleaving成120GHz，而Agilent则是单颗80GS/s的ADC Split成2路40GS/s。
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- l$ Z- N  @% j+ [4 q7 d“WaveMaster 8Zi-A型号示波器运用第二代锗化硅元件来确保高性能。锗化硅是多年来商用中最广泛的半导体材料。另外，它没有热传导性，可靠性，产量以及成本问题及其它内部专用生产所需应付的问题。”
此处第二代锗化硅指IBM HP8，开关频率200GHz，这也是Tek的下一代70000C采用的半导体工艺，而所谓的它没有热传导性，可靠性，产量以及成本问题及其它内部专用生产所需应付的问题对比的是Agilent的InP工艺。Agilent为了发展InP工艺，做了它示波器历史上的的最大一笔投资，为期数年，事实上据说为了解决发热和噪声问题，新产品的发布就推迟了2年。发展出来的InP工艺是第一代，称为HB2B，具有高开关频率——200GHz，高击穿电压，高衬底电阻率（采用陶瓷衬底，以最小化散热和噪声），可确保高频状态的平坦响应，而90000X也的确实现了最低的本底抖动，最小的本底噪声。对比WM 8Zi-A的190fsrms，90000X的本底抖动为150fsrms。

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+ @( s. I, s- y2 d  m6 G+ b, r“4通道20GHz带宽的845Zi-A型号拥有比达到32GHz带宽却只能提供4通道16GHz带宽的竞争产品高出25%带宽。抖动底噪更是达到了不可思议的125fs rms。”
+ {/ T  F+ r; t4 Q, q2 ?* S0 o这里说的仍然是Agilent 90000X，的确4通道全开时，Agilent只能提供16GHz的带宽，主要受限于ADC。由于2个32GHz的模拟通道共用了一颗80GS/s的ADC，所以2通道同时使用时，只能提供40GS/s的采样率，也就是最多模拟带宽到20GHz，而90000X是到16GHz。不过845Zi-A的抖动底噪的确惊人。

( p7 N; e" ]* [9 c# {6 `- z总的来说，LeCroy的WM 8Zi-A的确将实时示波器的带宽推进到了一个前所未有的地步，但“单通道模式下最大采样率是120GS/s（带宽45GHz），2通道（带宽30GHz）和4通道（带宽20GHz）模式下采样率分别是80GS/s和40GS/s。同样地，最大可分析存储深度在带宽45，30和20GHz模式下分别为768，512和256Mpts/Ch。”这个指标只在单通道时全面领先于竞争对手，而2通道时则落后于Agilent的32GHz、80GS/s。4通道时，也只有带宽领先于Aglient的16GHz与Tek的20GHz（DSP提升，物理带宽仍然为16GHz）。

# Q: O6 s5 E) X6 u  _6 W但问题在于，LeCroy并没有同步推出如此高带宽的探头。

看起来不错!!!!