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# d+ ~9 y2 T2 x9 ^/ @/ h/ W模电的基础知识吧？硅三极管的BE饱和电压就是0.7V左右，如果你要看R100和R101的分压效果（6V），那么就可以在B极上串一个电阻比如1K，这样电阻一头是0.7V，另一边就是6V咯，电阻上流过的电流也就是Ib=（6-0.7）/1K=5.3mA了。。不过这 R100和R101的阻值太大了，6V/300K远远小于预计的基极电阻5.3mA，所以还是无法实现6V分压。R100和R101改成100欧差不多，否则就要增加基极电阻（比如R100=R101=1K，Rb=10K）以减小基极电流，从而减小对分压计算的影响，这样差不多能做到接近6V的分压值。不过，这意义是为何呢？😄

topwon 发表于 2020-5-19 08:59
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9 m: b7 h4 F$ g1 q/ ?# s谢谢，版主！本来这个电路是设计来电容延时开启继电器的，如果R100和R101设置得太小将没有意义。

Q308这块你应该是想设置一个分压偏置电路，在基集串联一个10K左右电阻就行

一楼版主正解
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实际基极电流小于1 mA时，晶体管不会烧毁。晶体管的基极p-n结充当大约0.7-0.8伏的稳压器

Caleb1992 发表于 2020-5-19 09:21
正解，这样接管子会直接烧坏吧

图中接法应该也不会烧管子，因为R100相当于基极限流电阻了，只不过不能按阻值与R101分压计算了。
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topwon 发表于 2020-5-19 08:59
模电的基础知识吧？硅三极管的BE饱和电压就是0.7V左右，如果你要看R100和R101的分压效果（6V），那么就可以 ...

正解，这样接管子会直接烧坏吧

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R101 相当于对地并联了一个二极管,这个0.8就是是这个二极管的正向压降,所以怎么调都没用

Alniku 发表于 2020-5-18 20:24
如果正向电压基极-晶体管的发射极达到6伏，则晶体管将简单地燃烧。在大约0.6-0.7伏的低电流下，基极-发射极 ...

- B9 q& F/ S  F; \1 V6 |, G看8050的规格书，BE极限电压确实是只有5V，但我就奇怪为什么会被锁定在0.8V？反而用GPIO上拉它BE电压反而会更高一些。

那肯定是0.8V了

如果正向电压基极-晶体管的发射极达到6伏，则晶体管将简单地燃烧。在大约0.6-0.7伏的低电流下，基极-发射极的电压类似于常规二极管上的电压。

如果Q308导通之后，是否等效为一个电阻与R101并联，那么并联电阻还能为300K吗？

有点复杂，楼主call版主试试，看他有什么见解