【问题】一个缓启动电路，总是烧MOS管，为啥？

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发布时间: 2020-4-28 09:57

输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧mos管。我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。电源上电的时候，为了测试实际情况，采 ...

kevin890505 发表于 2020-5-15 21:19

MOS虽然是压控器件但要导通需要给Cgs电容充电，这个电容一般很很小，但你这个分压阻值也太大了，会导致导通非常缓慢，如果带点负载，那势必导通过程中发热量很大，散热如果不匹配，就会烧掉。

canatto 发表于 2020-4-28 11:30

你的分析1 是对的。MOS管处于过渡过程太久，耗散超限损坏。可考虑用个施密特门驱动栅极。

AD9_PCB 发表于 2020-5-19 09:42

为啥C15那么大，相当于Cgs增大了啊，岂不是启动很缓慢，电流很大，会烧掉，

fengg9196 发表于 2020-5-16 09:32

因为没有MOS管资料，不能确定MOS管启动电压是多少的，估计是C15容量过大引起，建议您把C15和C14交换容量测试一下，谢谢！

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1156241255 发表于 2020-5-15 16:58

建议抓一下上电瞬间的电流峰值。

爱还没来 发表于 2020-5-15 16:03

可以哦

canatto 发表于 2020-5-13 20:49

风雨长戈发表于 2020-5-12 21:511 ~, w+ N4 O3 B V4 ~
有没有可能是 Vgs的电压超过了所选MOS的Vgs？

输入110VDC，栅压最多爬到12.9V。一般MOS管最高允许栅压都在20V以上，而且这个电路栅极有超重型旁路，我看栅极击穿的可能性相当小。

风雨长戈 发表于 2020-5-12 21:51

有没有可能是 Vgs的电压超过了所选MOS的Vgs？

输入110VDC，栅压最多爬到12.9V。一般MOS管最高允许栅压都在20V以上，而且这个电路栅极有超重型旁路，我看栅极击穿的可能性相当小。详情回复发表于 2020-5-13 20:49

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