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关于DDR信号辐射问题

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发布时间: 2010-5-23 23:05

正文摘要:

请教一下各位,我在做机器的EMI辐射实验时发现频点在DDR1时钟频率(133MHz)和它的倍频上老是超标,很难压下去。 6 l5 y4 b9 ?" W2 s我看我师父的DDR1供电和参考电压引脚周围都放的是几个100n的贴片电容,稍远一点 ...

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Colin_SI/PI 发表于 2015-1-20 10:00
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:* v( U7 O, j/ Q( L, c, P
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号6 @1 |( H- V8 q% M
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;. D( h+ @$ A$ [
产生原因可能有:# u. ]1 f# W3 D9 U6 {
" Z  B" ?6 m1 Z: r4 E+ Z) i6 t& [
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个  ^1 V4 a( ?# W! ]1 w4 p7 N: ~# z  Q
和负载大小,走线长度相关;
+ s1 k6 G- ]3 i- d1 v2 x9 ?7 P
, k8 t) ?+ G; b  N& A1 f* Idq_full             Full-Strength IO Driver
& |! e) m3 W  v' u0 n( pdq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
4 V4 N% O) \9 I9 ~7 d5 C7 N, y# a# b5 a$ {
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号0 w$ w) R- O! }
如果存在多负载也需要端接;
% g5 l! }( L& X4 ^5 W* I  X" C1 Q$ l6 p, h  a8 m
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;7 Y$ J  {' I: @( n

3 t" G5 l7 v5 M8 I. D4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;6 g' O- b  t3 n8 |
+ r/ `8 g: f- v: {; C
解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。
奋斗者 发表于 2015-1-25 23:22
专业分析,受益匪浅
kaka198510 发表于 2013-5-15 13:33
看的不是很明白
lililu 发表于 2013-4-18 10:11
学习了
cccccc32 发表于 2011-8-18 10:14
学习了!!!
xiang 发表于 2011-8-17 10:25
学习了
0 H! T' k* T$ ]" {. K
wangjunchao401 发表于 2011-1-19 19:56
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。
tfj20032570 发表于 2010-12-20 17:49
下载来看看,谢谢楼主 9 [( O! P* V/ {0 R* l) `
Terry103 发表于 2010-12-19 15:13
高手好多啊   学习了
cjj123 发表于 2010-12-17 15:24
学习了~~
anne_qian34 发表于 2010-11-15 16:14
学习了~~
yangzengxiong 发表于 2010-7-4 23:48
学习了!
keysheha 发表于 2010-5-27 15:33
回复 8# shqlcdd " g+ P+ p9 G5 R. ^, Y8 S! v0 ~

$ w: O, w, a9 u8 S! m. j' ~0 l3 \2 a4 x9 z+ |% L  q- Q& ]! x& l
"3. 想问一下,好多地方说加宽电源走线的宽度,但我感觉走线只要能够达到电流容量了,为什么还要加宽啊。"
4 I1 m  C. e" d/ A6 f' V  I4 {较宽的电源走线具有较低的等效电感,这样对于数字IC有较低的高频阻抗,提高电源完整性。3 u( N1 E$ ~$ o# N9 z( j
IC在低频情况下电流阻抗很小,但在高频下受到趋肤效应,以及高频本身特性就会导致阻抗过高。) Z* m) \9 C6 D* O) E

, F0 v; G* Q# N( f; H一旦IC内部电路有瞬态电流要求时,高阻抗不能很好满足其电源平稳特性,可能会带来功能甚至是性能的问题! U6 i! i1 m& r/ i6 [7 Y; ~0 M' U
所以对于高速电路的电源线路,都要加宽些。
shqlcdd 发表于 2010-5-26 22:53
回复 7# honejing
  W! f& {0 \: Q
0 t% a( [( F4 ~! y$ h) m5 v: @# H
    谢谢你的建议。这个板子DDR下面电容有过孔到地,只是只打了3个过孔,
, z. j1 \# w( ?8 ^0 A可能少了点。用软件计算了一下,信号线的特性阻抗差不多到140ohm了,# f: Z7 z' e' h4 V8 i9 b8 o
我试试用100ohm的端接电阻试试。另外我试了一下减小时钟差分电阻好像; p4 ~* p8 q& ^+ w
也有效果的。
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