个人分析：
. t* A! O% R4 M' a$ I! rMOS管的D极被拉低到地后（Vd=0V），MOS管的体二极管导通，于是S极电压也被拉低到0.7V左右。
此时，由于Vgs=3.3V-0.7V=2.6V，大于Vgsth，MOS管导通，体二极管被Ron短接应该不再导通。
S极电压Vs=Isd*Ron+Vd。而Ron大约是2欧，上拉电阻R1965=2K，所以Ron上产生的压降应该是mV级别的才对。Vs=Vd。
$ U/ k- C, P6 U( j& V5 m" R& w! o所以，楼主所称的0.4V电压差异，我觉得还是有必要再研究讨论一下其来源，不应该是体二极管造成。
1 [" B8 y2 \; r; Q1 l1 i; ^* H6 `Vd是否被拉到0V了呢？

一缕缕阳光 发表于 2020-4-12 23:48
mos管栅极驱动电压过低，MOS管没有完全导通，所以电阻比较大，并不是理想的1.5欧，所以存在0.4v的可能   ...

+ ^0 X9 [7 n2 F# N7 [, T“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。
7 P) Y) r) X8 O/ J
规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻典型值1.5欧姆，最差2.0欧姆。楼主电路中DDC_CLK源极驱动为低时，栅压为3V附近，完全满足开通条件。
2 _2 O8 w& g% C  }: o

topwon 发表于 2020-5-7 10:12
DS极的压差你是测量的稳态还是开关状态？如果测量稳态电压，那么可以串一个电流表确认一下实际电流。然后 ...

6 U& E" S- o% U$ f低电平的时候MOS管打开，是打开时候的状态。别的同事测过电流了，2mA.

jane@2013 发表于 2020-5-7 10:06
就是实际测试的数据才提问的，测过不同的设备都有类似的问题。

; B" l7 r0 j2 }; p6 ?  I1 X) FDS极的压差你是测量的稳态还是开关状态？如果测量稳态电压，那么可以串一个电流表确认一下实际电流。然后再计算一下Ron是否符合预期。

yhg-cad 发表于 2020-5-7 00:05
7 O1 ?9 ]6 ?8 y- M9 [MOS管的GS沟通吃掉的，不可能所以器件发么理想。而且0.16也在误差范围内了

吃掉是啥意思？
0 r3 H7 @9 ^! g6 O5 Y: `

syeshu 发表于 2020-5-6 09:51
楼主还是实际测一下吧，现在大家的很多猜想其实和理论值计算下来偏离较大，实际测一下，把输入管脚短接到地 ...

就是实际测试的数据才提问的，测过不同的设备都有类似的问题。

MOS管的GS沟通吃掉的，不可能所以器件发么理想。而且0.16也在误差范围内了

楼主还是实际测一下吧，现在大家的很多猜想其实和理论值计算下来偏离较大，实际测一下，把输入管脚短接到地，测一下输出电压，另外调整一下上拉电阻阻值，再看看会不会有改善

topwon 发表于 2020-4-30 17:19
+ v) z- j8 m: h$ O, v# e. j电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。

I2C是OD门，外部用2K上拉到3.3V，算下来是1.65mA。如果用1K上拉就是3.3mA，不会差的很大。
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topwon 发表于 2020-4-30 17:17
按理分析，MOS管导通之后，DS之间的压差，就取决于Ids和Ron的乘积，如果偏大，应该就从这Ids和Ron查起，看 ...

; X" g$ G$ w1 x8 F1 Q3 N4 f- i除了怀疑MOS管不达标，楼主是否可以再次做一下实验，确认0.16V压差不是实验观察误差所致。
& i! x+ {. g" b. y; Y$ B

jane@2013 发表于 2020-4-30 16:31
9 u+ @# K& o  P, D$ L按照电流2mA来算，如果完全导通那么电阻按照2R来算，这样算下来，压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压 ...

' Z5 Y1 v% x& k  G电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。

按理分析，MOS管导通之后，DS之间的压差，就取决于Ids和Ron的乘积，如果偏大，应该就从这Ids和Ron查起，看看是谁引起的。
3 U+ E$ e# j: }如果上拉电阻偏小，Ids就会偏大。Vgs偏小，Ron也会加大。如果芯片质量不好，Ron也会偏大。。。。等等。

其实，你换一个Vgsth和Ron比较小的MOS管试一下就可以了。比如AO3402，SI2302这类。

jane@2013 发表于 2020-4-30 16:34
MOS管导通状态下两端压差0.16mV，二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是 ...

你用的这个mos管规格书里写的很清楚，内部寄生体二极管的正向压降的典型值是0.65V@25℃。

topwon 发表于 2020-4-30 16:28
, i0 X! ]1 K. D+ M( n& f. S那你就应该先测试这个电路的功能，比如不用MCU去驱动，而是直接把S极或D极接地，看对应的D极或S极是不是 ...

# P% u. g; d0 ~主要是看导通状态的压差吧？0.3V端是信号输出低电平端，0.46V是经过MOS管转换后的电平。
% r8 \0 r; W1 ]4 U! e; d

canatto 发表于 2020-4-13 02:20
“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。
# n! Y( F0 Y- R2 L& ~" v
规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...

[size=13.3333px]不好意思写错了，实际导通状态下MOS管两端压差是0.16V。
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