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SIC功率器件设计

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发布时间: 2020-1-10 13:29

正文摘要:

9 W5 v- n4 j, Z2 G9 c1 p6 R  W 2 T4 q( c+ a& i2 W

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colin_fa 发表于 2020-2-14 18:18
关于SiC功率器件,共涉及到SiC SBD、SiC Mos两类;' s" E, j' F) d% o: X5 a$ \
1、SiC SBD,当前已经在一次电源(例如:650V /10A)、UPS(例如:1200V/40A)等有比较成熟的应用,业界成熟厂家有 Cree、IFX、ST,国产有 WeEn;9 R$ G! Z0 p6 H$ P
2、SiC Mos,在展会上有看到过RoHM、Panasonic、Renesas关于车载OBC、MCU基于SiC Mos的Demo模块,主要是900V的规格,但截至目前没有看到较为大批量的使用,除过价格的因素之外,SiC Mos的外延EPI的可获得性、生产制程良率、应用可靠性等都存在一定的挑战,继续关注或实验摸底。
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