两个电路，都具有PMOS管缓慢导通、快速关断的功能。
上一个电路，增加了Q17、Q18，具有更快速度关断PMOS管、更慢导通PMOS管的功能。G极所接电容C164=10uf的充电速度和放电速度相差很大。

3 p" b# B5 G/ E8 l  O. ZMOS管的Cgs通常很大,低导通电阻的MOS管Cgs通常都有1000pf的数量级，电路中G极接了10uF的电容，这个电容在导通与关断期间与Cgs共同起作用。如果关断信号到来，而这些电容放电较慢，那么MOS管仍然是导通的。
5 S  v7 I* y1 L, h: n1 N, T. q; E原理流程如下：关断信号到达Q19----Q19截止----Q18导通----Q17导通，则Cgs通过Q17快速放电。。。。。。


2 @- x! L# c! M5 b8 `# f) y+ c

第二个电路实用性更强。

" W7 C7 {5 ^/ ^5 R& b& L

zyl0504 发表于 2019-12-27 13:39
你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是 ...

感谢你的回复。
; \6 T( D7 w, K3 n, n# W1. 你提到“外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间”，我的理解是：MOS管要么开通，要么关断；增大开通时间就会响应的减小关断时间，同样增大关断时间也会减小开通时间，两者是相反的。不知你说的”增大开通和关断时间“怎么理解？另外G端的充放电过程，C163好像也没有参与。
2. 你提到”图1充电时间更快，图2放电时间更快“，“图1充电时间更快”我的理解：图1中，三极管Q17导通后，三极管阻抗很小，其阻抗远远小于并联在一起的R186，所以充电时间RC比没有三极管的电路要快。“图2放电时间更快”我不是很理解：作者上传的2张图，第一张图计算出的放电时间=C165*R188=0.22*22ms=4.84ms（C164没有上件），第二张图计算出的放电时间=C812*R802=4.7*1.5ms=7.05ms，所以放电也是第一张图快。
3. 如果这两张图充电电路和放电电路的电阻和电容取值一样，那么放电时间应该是一样的，充电时间应该是有三极管的快。不知我的理解是否正确？

, e- q7 C5 }+ [* W# `4 L! M

我觉得电路越简单越好，不太明天mos管G极接的电容是什么意思。
建议C812去掉，R801=10K,R802=100K,C810=0.47uF,C801那里并联一个电阻用于三级管导通时间的调试。

lxk 发表于 2019-12-26 20:36
7 s1 `2 p$ Q+ _7 T上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

如果是低电平有效NPN的三极管怎么导通。

:):)

第一张图Q17工作在放大到饱和状态，时间快不少

可以这么说，加三极管主要是关闭快

markamp 发表于 2019-12-27 09:13
% J/ g7 j# q0 \q17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？

: r4 d$ _. _/ @6 {9 W7 V$ u所以如果要起到缓起动的作用，有三极管的电路是冗余设计，要采用没有三极管的电路（第二张图），是吗？

风雨长戈 发表于 2019-12-27 09:46
: E& e. O, n' B6 VG极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

4 R1 K. f1 W5 B, k: F3 }- i是在下图位置加一个10K下拉电阻吗？Q19导通时，R188不就是下拉电阻吗？
) z" z* p# p. u+ g- q

YOTC 发表于 2019-12-27 10:33
8 p# x( p5 X2 I1. 作者原图中，图2比图1多了2个三极管（绿色圈起），请问图1和图2哪个电路更优？
3 L( ]# q1 A) ^( u' M3 \2. R186和R188是不是分 ...

3 T. d' c( }& OCgs 放电 是 黄色部分，相当于用导线把电容两端短接放电。
6 y  O6 [% a8 K) g9 n. {# M) w8 ^" p" ?

YOTC 发表于 2019-12-27 11:12
6 Q# V/ ~0 j6 K" U: V& J1. 图1在Q19截止时，通过Q17给C164和C165充电。Q19导通时，通过R188和Q19放电，放的电C164和C165上的，是 ...

# ~' J) u* m( j! Y你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是自带结电容的（Cgs），MOSFET开通和关断时间这个结电容起到很大的作用，外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间。两个电路我不好说那个更好，图1充电时间更快，图2放电时间更快，如果非要选择，个人倾向于图2，电路少两个三极管，更简单。我是这样理解的，仅供参考。

zyl0504 发表于 2019-12-27 09:15
* X" ^- s6 O# ~1 I/ I0 e3 U6 N两个电路的原理就是一个负载开关，作用都是缓起缓停，降低mosfet开关时刻的冲击。控制电路1通过Q17给C164和 ...

1. 图1在Q19截止时，通过Q17给C164和C165充电。Q19导通时，通过R188和Q19放电，放的电C164和C165上的，是这样吗？
2. 如果没有C164和C165，Q19导通时，G端电压就是R188分压得到的电压，就不会有缓启的作用，所以缓起和缓停都是C164和C165在起作用，是这样吗？
8 q# I8 \, ]9 O: S6 U  v; F% x5 D3. C163起什么作用？可以NC吗？
4. 图1和图2哪个更优？为什么？
   谢谢
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1. 作者原图中，图2比图1多了2个三极管（绿色圈起），请问图1和图2哪个电路更优？
2. R186和R188是不是分压电阻，在Q19导通时，G端分到的电压=VCC*22K/（220K+22K)=VCC/11，G端电压比S端电压低，PMOS就可以导通。
$ G( b" F% x$ C0 Z- _0 T3. Cgs的放电回路是下图黄色部分还是橙色部分？能不能解释一下放电过程？
4. C163和C165各起什么作用？
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G极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

都不错，应该都可以使用。