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关于MOS管失效,说白了就这六大原因

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发布时间: 2019-12-13 16:17

正文摘要:

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个 ...

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hawk1226 发表于 2019-12-16 14:38
讲了失效原因,不知道各失效原因引起的失效后对应的失效模型是什么,比如栅极击穿、漏源击穿。我用PMOS做了各开关,用于控制电机驱动板的开启/关闭,电机最大负载电流5A,同时控制2路,选用MOS的 Id最大15A,工作电压DC24v,TO220封装,之前用小的散热片,发现经常会漏源击穿(不受控了),后来更换了大的散热器,情况好转了,但是还没有杜绝。由于空间受限,不能单独控制1路。一直怀疑是热击穿,同时电机驱动板上有一个大电容,也怀疑是开启瞬间的大电流导致击穿。不知道你有什么好的建议。
honglian566 发表于 2019-12-13 18:08
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