大家伙好 发表于 2018-9-25 10:49
手册上写明VGS最大值是±12V，按现在图中的接法，导通时VGS为14V
会不会跟这个有关系呢

VGS超过12V，有击穿的可能性。将R103换成15K，再将MOS管也换个新的，试试看。
R103换成15K，则VGS就在安全区内。
) W, r, q7 k( N( J* `; V
' r; i% H0 L9 E: A! o& s/ u5 l另一种可能性DS极搞反了，那么MOS管的寄生二极管直接导通，表现为MOS管关不断。
# o9 U; ]2 U* v' ^0 v

R103去掉~~PMOS低电平打开，默认要上拉到VGS，你这个低电平的时候三极管的集电高的，B给高的时候三极管的C会拉到E电平上，这时候PMOS的G就接到地上了，你串了个R103，会导致PMOS管可能在放大区，或者说是开启电压有点高内阻有些大~

MOS很容易把D和S画反

关注中，关断高压的没用过，低压的用的多

mosfrt DS反了 里面二极管处于导通状态，28V关不掉

学习了。。。。。。。。。。。

lize314 发表于 2018-9-25 15:53
' W8 l8 i4 A1 s: G9 ^0 |别说，为刚就花反了 D 和 S  要飞线了

2 d. X- N* F) B' R

别说，为刚就花反了 D 和 S  要飞线了

大家伙好 发表于 2018-9-25 14:32
7 t4 f7 @2 @2 W0 r: `3 BMOS管不同封装引脚编号不一样，需特别注意

是的，SI2301正好是反了，
) H8 {- F  `6 `& t: \

jongchen 发表于 2018-9-25 14:25
原理图的2和3脚画反了

; C8 \1 K4 U1 k4 TMOS管不同封装引脚编号不一样，需特别注意

原理图的2和3脚画反了

哪位用过SOT-23封装耐压值大于40，电流1.5A以上的管子？

jongchen 发表于 2018-9-25 12:00
$ v1 A2 p- e) f  v# B6 d  A% |* kR103能计算出来是多少K?

电阻串联分压计算还不会吗?
" H( h, W$ L, _" {

lize314 发表于 2018-9-25 11:34
原理图没问题，应该是VGS的电压问题，输入高电平，VGS=-14V 增大R103 调小VGS就行了
- {0 I. ]4 A+ S* p: x2 C0 l你去掉R103 VG=VS VGS ...

6 O: R- t* i& D. U3 _; A- Q6 WR103能计算出来是多少K?