你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧. 个人建议: 1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地),保护地与交流电大地尽可能短的连接,将静电快速导出, 信号地与保护地用磁珠连接,不要用电阻或是电容,增大保护地与信号地的阻抗) V( ~$ A. R. G9 k. { 2. USB布线要求并非那么严格,至于保护器件那部分没有差分走线,保护地和信号地距离较近,我感觉都不是主要问题,你这应该是打静电时,保护器件将静电直接导入到信号地了,从而引起系统异常.的确有些设计是将静电引入信号地,不过个人感觉此方法慎用.要测试这个问题,也挺简单, 你的保护器件接的是信号地,不是保护地,那你就直接在USB接口附近的信号地上打静电,如果不过,说明此方案是不可行的,只有将静电引入保护地 3. 与产品结构也有关系,有的结构有耦合等,你可以先测电路板,但电路板与交流电大地处理好. |
niliudehe 发表于 2016-4-11 08:33. N* v" I/ Q5 v9 p 对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地来说的,因为模拟的是人接触时的静电放电过程,而人是站在大地上的(长翅膀的鸟人不考虑 ![]() |
风凌天下 发表于 2016-4-8 10:38 两个gnd直接确实没有到 40mil 现在 目前的情况是 25mil 左右 但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil 不知道这里 影响大不大 ! c5 D, N# ^1 ~4 x5 b* d 另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd f* p% j. e; ^+ u. F" d4 R0 x" J, O # R. E0 {8 \" m+ f; k# e* H3 ? 最后的伴随gnd孔 我在多加几个 . B( D; f5 l' ]8 k1 o0 b0 a 9 N& \7 v4 @6 h0 [6 s, B 非常感谢 |
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zhuyt05 发表于 2016-4-11 19:55% z. L# O6 [) P7 f( V. S, r+ Y" a 大神你这太专业了 ![]() |
学习了 |
zhuyt05 发表于 2016-4-10 23:30' Y" u% Q- O9 w0 M) x1 M9 z 谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢 |
看看 |
niliudehe 发表于 2016-4-8 16:04* Y& z5 H! o5 Y7 @% f$ p 我是这么理解的,保护器件接到保护地,共模电路直接流向保护地,尽量使共模干扰不流经工作地。 |
个人愚解 ,USB走线多粗?加粗到12MIL试试。另共模电感要用90欧的品牌货。 |
chenzhouyu 发表于 2016-4-8 13:49 您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd 那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢? |
还可以这样啊?不是做SI吗? |
我感觉是不是我们公司测试的方法不对,他们拿了个打火机里面那个按下可以放电的东西,去打机壳。来模拟,USB受到的干扰。各位大神,你们的产品是怎么测试这方面的,求指导下 |
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