| 新人领教了 |
| 如果是我选择的话,我还是选择4.5mil,这样的走线空间更大,线与线之间的距离可以拉大,更利于走线。个人观点,仅供参考。 |
| 以前有过 资料要求DDR部分差分为120欧姆,但当时没注意,要求板厂控制成120欧姆,生产后测试也没出现问题。 |
| 4.5mil是你通过软件算得把,一般情况按照板厂来他们根据实际情况算得。但是一般只要误差在+/-10%之内就行。 |
| ±10%的范围ok,考虑加工误差,要求严格进行阻抗控制,并提供阻抗检验报告。 |
| 有问题的话可以调buffer设置,一般不会有什么问题的 |
l888888h 发表于 2015-12-2 14:57 哈。后面采用4.5,考虑到加粗未有3w原则,希望不要有大问题,佛祖保佑: }: d7 I" ]( S1 b5 @( \; Y |
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实际上差别不大的,这两种方式都不会导致DDR不正常$ Z7 D# ]/ h8 j' x6 N 7 x) c. y- I9 \( u% \7 o$ b 拿不定主意的话,建议综合考虑,5mil 阻抗偏差更小,4.5mil 则更省空间。 |
| 照常走线。4.5mil,不修改。 |
| 同意用5mil |
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不要钻牛角尖。 对于ddr 50ohms+/-5ohms差异不大。 |
| 毫无疑问5 |
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o. V3 U# [1 O 两种情况供选择我觉得都在误差范围允许之内,都影响不大的。若说更侧重点还是线宽允许微调。阻抗更好点吧。' s+ M2 g: F3 q, ^' K; X6 W! C |
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